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saifun 文章 進(jìn)入saifun技術(shù)社區
采用Saifun NROM技術(shù)中芯國際進(jìn)軍閃存
- 中芯國際與Saifun半導體日前共同宣布，中芯國際將采用Saifun的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲卡。 Saifun的NROM技術(shù)在非易失內存技術(shù)領(lǐng)域是一個(gè)突破。NROM技術(shù)將存儲能力提高到每個(gè)基本存儲單元四字節，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術(shù)簡(jiǎn)化了存儲單元的器件模型，減少了生產(chǎn)步驟，降低了生產(chǎn)成本。 “閃存存儲卡市場(chǎng)對于我們未來(lái)的發(fā)展而言是一個(gè)重要的驅動(dòng)力，”中芯國際首席營(yíng)運官Marco Mora表示，“在雙方簽署的第二份協(xié)議中，我們將Saifun先進(jìn)的技術(shù)和中
- 關(guān)鍵字： NROM Saifun 閃存 中芯
中芯國際與SAIFUN拓展NROM技術(shù)轉讓協(xié)議
- 中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中芯國際”，紐約交易所：SMI；香港聯(lián)交所：981）和SAIFUN半導體，為非易失內存技術(shù)（NVM）市場(chǎng)提供智能產(chǎn)權（IP）解決方案的供貨商，今天共同宣布中芯國際將采用SAIFUN的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲卡。 SAIFUN的NROM技術(shù)在非易失內存技術(shù)領(lǐng)域是一個(gè)突破。NROM技術(shù)將存儲能力提高到每個(gè)基本存儲單元四字節，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術(shù)簡(jiǎn)化了存儲單元的器件模型，減少了生產(chǎn)步驟，降低了生產(chǎn)成本。 “中芯國際認為閃存存儲卡市場(chǎng)對于我
- 關(guān)鍵字： NROM SAIFUN 中芯 轉讓
Saifun 推出業(yè)界首個(gè)2Mb 串行EEPROM
- 非揮發(fā)性存儲技術(shù)及元件供應商Saifun Semiconductors宣布進(jìn)一步擴展其高密度EEPROM產(chǎn)品系列的陣容，推出全新SA25C020 2Mb SPI EEPROM，是業(yè)界首個(gè)結合小型SO8封裝、低功耗和高性能特點(diǎn)的器件。Saifun的串行EEPROM產(chǎn)品專(zhuān)為需要高耐用性和低功耗的應用而設計和測試，針對持續可靠的非揮發(fā)性存儲方案。2M EEPROM推出的價(jià)位接近閃存 (Flash)，加上其節省空間的封裝形式，將有助于新應用的實(shí)現，如硬盤(pán)、光盤(pán) (包括DVD)、機頂盒、打印機、游戲卡，以及無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： Saifun
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