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RT10XX 降低喚醒時(shí)沖擊電流
- 近來(lái)有客戶(hù)反饋,當使用RT1060從suspend mode喚醒時(shí),會(huì )在VDD_HIGH_IN觀(guān)測到一個(gè)較大電流。與此同時(shí),電壓也會(huì )產(chǎn)生一個(gè)較大的跌落,下降到RT1060的臨界數值3.0V附近。在一些極端情況下可能會(huì )引起MCU異常無(wú)法正常工作。如下圖所示,VDD_HIGH_IN主要為芯片內部的analog部分供電,主要包括各類(lèi)PLL,晶振,fuse,以及LDO。經(jīng)過(guò)查閱應用筆記,Suspend模式下,芯片內部的LDO_2P5和LDO_1P1會(huì )被關(guān)閉以降低功耗,當喚醒時(shí),這兩個(gè)LDO將會(huì )被啟動(dòng)為芯片內部的電
- 關(guān)鍵字: RT1060 MCU 沖擊電流
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