EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
powermosfet
powermosfet 文章 進(jìn)入powermosfet技術(shù)社區
隔離驅動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件設計所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應，過(guò)載，短路等條件所造成的損害。
- 關(guān)鍵字： 隔離驅動(dòng)IGBT PowerMOSFET ACPL-33xJ
隔離驅動(dòng)IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
- 關(guān)鍵字： 隔離驅動(dòng) PowerMOSFET 功率器件
| 共2條 1/1 1 |
powermosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條powermosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對powermosfet的理解，并與今后在此搜索powermosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對powermosfet的理解，并與今后在此搜索powermosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473