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又一存儲大廠(chǎng)DRAM考慮采用MUF技術(shù)

• 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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