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東芝開(kāi)發(fā)全球首款多層單元結構MROM單元
- 東京--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布開(kāi)發(fā)全球首款掩膜式只讀存儲器(MROM)單元，以提供更好的單元電流特性，并且單元尺寸不會(huì )增加。這一進(jìn)展是通過(guò)采用多層單元結構實(shí)現的，該結構還可以保證高速運轉。詳細信息將于6月14日在2013年超大規模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì )(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期間公布，此次研討會(huì )將于2013年6月11日至14日在日本京都舉行。 MROM的主
- 關(guān)鍵字： 東芝 MROM
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