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蘇州納米所在硅襯底InGaN基半導體激光器方面取得重要進(jìn)展
- 硅是半導體行業(yè)最常見(jiàn)的材料，基于硅材料的電子芯片被廣泛應用于日常生活的各種設備中，從智能手機、電腦到汽車(chē)、飛機、衛星等。隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，研究者發(fā)現通過(guò)傳統的電氣互聯(lián)來(lái)進(jìn)行芯片與系統之間的通信已經(jīng)難以滿(mǎn)足電子器件之間更快的通信速度以及更復雜系統的要求。為解決這一問(wèn)題，“光”被認為是一種非常有潛力的超高速傳輸媒介，可用于硅基芯片以及系統間的數據通信。但是，硅作為間接帶隙材料，發(fā)光效率極低，難以直接作為發(fā)光材料。研究人員提出利用具有高發(fā)光效率的III-V族材料作為發(fā)光材料，生長(cháng)或者鍵
- 關(guān)鍵字： InGaN 激光器
蘇州納米所在硅襯底InGaN基半導體激光器方面取得重要進(jìn)展
- 硅是半導體行業(yè)最常見(jiàn)的材料，基于硅材料的電子芯片被廣泛應用于日常生活的各種設備中，從智能手機、電腦到汽車(chē)、飛機、衛星等。隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，研究者發(fā)現通過(guò)傳統的電氣互聯(lián)來(lái)進(jìn)行芯片與系統之間的通信已經(jīng)難以滿(mǎn)足電子器件之間更快的通信速度以及更復雜系統的要求。為解決這一問(wèn)題，“光”被認為是一種非常有潛力的超高速傳輸媒介，可用于硅基芯片以及系統間的數據通信。但是，硅作為間接帶隙材料，發(fā)光效率極低，難以直接作為發(fā)光材料。研究人員提出利用具有高發(fā)光效率的III-V族材料作為發(fā)光材料，生長(cháng)或者鍵
- 關(guān)鍵字： 激光器 InGaN
納米級InGaN LED實(shí)現高效率白光
- LED照明的神圣目標就在于以最高能效與最佳成本效益的方式實(shí)現白光，而這也一直是制造商和學(xué)術(shù)界之間最熱門(mén)的討論話(huà)題。 傳統的途徑包括頻率向下反轉、結合高能量的藍光LED或近紫外線(xiàn)頻段，以及具有不同波長(cháng)的螢光粉。 相較于原始的發(fā)射器(以螢光粉覆蓋的LED)，這種途徑通常以較低的量子效率模擬不完全的白光光譜。螢光粉的壽命有限也對于白光的整個(gè)產(chǎn)品生命周期帶來(lái)負面影響。 其他的解決方案結合了以不同峰值波長(cháng)發(fā)射的多個(gè)LED芯片，然而，同樣無(wú)法為真正白光帶來(lái)自然連續的發(fā)光過(guò)程。 香港大學(xué)(U
- 關(guān)鍵字： InGaN LED
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