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三星率先開(kāi)發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：HBM存儲芯片容量提至24GB
- 三星電子宣1布率先在業(yè)內開(kāi)發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。隨著(zhù)集成電路規模的擴大,如何在盡可能小的面積內塞入更多晶體管成為挑戰,其中多芯片堆疊封裝被認為是希望之星。三星稱(chēng),他們得以將12片DRAM芯片通過(guò)60000個(gè)TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20?？偟姆庋b厚度為720μm,與當前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同,體現了極大的技術(shù)進(jìn)步。這意味著(zhù),客戶(hù)不需要改動(dòng)內部設計就可以獲得更大容量的芯片。同時(shí),3D堆疊也有助于縮短數據傳輸的時(shí)間。三星透露,基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲芯片將
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM顯存 內存顆粒
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hbm顯存介紹
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