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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
- 從20nm技術(shù)節點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì )導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線(xiàn)接觸 (BLC) 與存儲節點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
- 關(guān)鍵字： DRAM GIDL
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