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科銳推出新型GaN RF MMIC工藝技術(shù)
- 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50V的G50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無(wú)線(xiàn)射頻功率密度，與傳統技術(shù)相比，能夠實(shí)現更小尺寸裸芯片和更緊湊、更高效率放大器。
- 關(guān)鍵字： 科銳 無(wú)線(xiàn)射頻 G50V3
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