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如何優(yōu)化PCB設計以最大限度提高超級結MOSFET的性能
- 基于最近的趨勢，提高效率成為關(guān)鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開(kāi)關(guān)器件的權衡并不值得。超級結可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統平面MOSFET技術(shù)相比，超級結MOSFET可顯著(zhù)降低導通電阻和寄生電容。...
- 關(guān)鍵字： EMIMOSFETPC
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