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晶背供電技術(shù)的DTCO設計方案
- 一些芯片大廠(chǎng)近期宣布在其邏輯芯片的開(kāi)發(fā)藍圖中導入晶背供電網(wǎng)絡(luò )（BSPDN）。比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本文攜手硅智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網(wǎng)絡(luò )設計的設計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）方案，其中采用了奈米硅穿孔及埋入式電源軌來(lái)進(jìn)行晶背布線(xiàn)。他們展示如何在高效能運算應用充分發(fā)揮該晶背供電網(wǎng)絡(luò )的潛力，并介紹在標準單元進(jìn)行晶背連接的其它設計選擇，探察晶背直接供電方案所能發(fā)揮的最大微縮潛能。長(cháng)久以來(lái)，訊號處理與供電網(wǎng)絡(luò )都在硅晶圓正面進(jìn)行，晶背供電技術(shù)打破了這種傳統，把整個(gè)配電網(wǎng)絡(luò )都移到晶圓背面。硅穿
- 關(guān)鍵字： 晶背供電 DTCO 晶背連接
全新微縮之旅:延續摩爾定律的方法和DTCO的應用
- 美國時(shí)間4月21日，應用材料公司舉辦了“全新微縮之旅”大師課。期間，我們重點(diǎn)討論了要在未來(lái)若干年內提升晶體管密度，芯片制造商正在尋求互補的兩條道路。其一是延續傳統的摩爾定律二維微縮，也就是使用EUV光刻和材料工程打造出更小的特征。另一條則是使用設計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）和三維技巧，對邏輯單元布局進(jìn)行巧妙優(yōu)化，這樣無(wú)需對光刻柵距進(jìn)行任何更改即可增加密度。這篇博客我們將英文博客原文摘選，一起回顧下該堂大師課程的技術(shù)精髓?；仡櫠S微縮的發(fā)展眾所周知，傳統的摩爾定律二維微縮定義了半個(gè)多世紀以來(lái)芯片行業(yè)的技術(shù)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 DTCO
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