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Diodes推出DIOFET器件提升負載點(diǎn)轉換器的效率及可靠性
- Diodes 公司推出首批采用專(zhuān)有DIOFET工藝開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，將一個(gè)功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個(gè)芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負載點(diǎn) (PoL) 轉換器的低側MOSFET位置，有助于提升效率，同時(shí)降低大批量計算、通信及工業(yè)應用中快速開(kāi)關(guān)負載點(diǎn)轉換器的工作溫度。 在10V 的VGS電壓下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分別僅為10m? 及8.5m?。這些器件能把通常情況下與低側MOSFET相關(guān)的導通
- 關(guān)鍵字： Diodes DIOFET
Diodes推出性能更佳的DIOFET器件
- iodes 公司推出首批采用專(zhuān)有DIOFET工藝開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，將一個(gè)功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個(gè)芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負載點(diǎn) (PoL) 轉換器的低側MOSFET位置，有助于提升效率，同時(shí)降低大批量計算、通信及工業(yè)應用中快速開(kāi)關(guān)負載點(diǎn)轉換器的工作溫度。在基準測試中，DIOFET 的工作溫度與其它競爭解決方案相比低5%。MOSFET 結溫每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。較低的DIOFET器件工作溫度大大提升了負載
- 關(guān)鍵字： Diodes DIOFET DMS3014SSS DMS3015SSS
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