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思特威:三大業(yè)務(wù)賦能業(yè)績(jì)增長(cháng) 高端產(chǎn)品初露鋒芒

  • 思特威(上海)電子科技股份有限公司,4月26日晚,高性能CMOS傳感器芯片設計先進(jìn)企業(yè)思特威披露2023年年報及2024年一季報。報告期內,公司在智慧安防、智能手機和汽車(chē)電子各產(chǎn)品應用領(lǐng)域持續深耕,加強產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)推廣促進(jìn)產(chǎn)品銷(xiāo)售,2023年公司實(shí)現營(yíng)業(yè)收入28.57億元,較上年同比增加15.08%,實(shí)現歸屬于母公司所有者的凈利潤1,421.55萬(wàn)元,較上年同期增加9,696.35萬(wàn)元,實(shí)現扭虧為盈。2024年一季度公司實(shí)現營(yíng)業(yè)收入8.37億元,較上年同比增加84.31%,實(shí)現歸屬于母公司所有者的凈利潤
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿(mǎn)足新一代圖像傳感器性能的要求,X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018(180納米)上開(kāi)放了背照(BSI)功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝,成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì )再被后端工藝的金屬層所遮擋,從而大幅提升傳感器的填充比,最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度,因而在暗
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艾邁斯歐司朗推出新型高靈敏度三通道CMOS傳感器,有效降低UV-A/B/C輻射監測成本

  •  ·       艾邁斯歐司朗的AS7331開(kāi)創(chuàng )CMOS傳感器全新設計組合,為UV-A、UV-B和UV-C提供獨立的傳感器通道;·       AS7331采用抗輻射表貼封裝,尺寸小巧,制造商能夠在成本敏感的家用產(chǎn)品中實(shí)現紫外線(xiàn)監測;·       AS7331讓制造商可以將UV-C光源的輻射精確限制在所需劑量?jì)?,從?/li>
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總投資155億 國產(chǎn)CMOS傳感器工廠(chǎng)又迎來(lái)一臺ASML先進(jìn)光刻機搬入

  • 日前國產(chǎn)芯片廠(chǎng)商格科微宣布成功實(shí)現整套ASML光刻機中的關(guān)鍵設備——先進(jìn)ArF光刻機的搬入。據格科微表示,目前,格科微潔凈室已按計劃分階段順利驗收,相關(guān)廠(chǎng)務(wù)系統配備進(jìn)展順利,共有六十一臺設備已經(jīng)搬入。未來(lái),外延、蝕刻、薄膜、清洗等相關(guān)設備仍會(huì )陸續搬入。格科微表示,ArF光刻機的成功引入,是格科微“12英寸CIS集成電路特色工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”建設的關(guān)鍵節點(diǎn)。依托自有工廠(chǎng)即格科半導體的先進(jìn)制程,格科微將進(jìn)一步加快先進(jìn)CIS工藝和高階專(zhuān)利像素的研發(fā)速度,并在自有工廠(chǎng)實(shí)現批量生產(chǎn)驗證,從而極大縮短高端產(chǎn)品從研
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人工智能三大驅動(dòng)力背后的CMOS傳感器

  • 隨著(zhù)人工智能概念逐漸成為科技界最炙手可熱的話(huà)題,這一依托芯片產(chǎn)業(yè)的全新概念牽動(dòng)了整個(gè)科技界的心。依靠政府的大力扶持、潛在市場(chǎng)的巨大規模以及已經(jīng)逐漸落地的海量應用場(chǎng)景,中國已然成為世界上潛力最大的人工智能市場(chǎng)之一。
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人工智能三大驅動(dòng)力背后的CMOS傳感器

  • 隨著(zhù)人工智能概念逐漸成為科技界最炙手可熱的話(huà)題,這一依托芯片產(chǎn)業(yè)的全新概念牽動(dòng)了整個(gè)科技界的心。依靠政府的大力扶持、潛在市場(chǎng)的巨大規模以及已經(jīng)逐漸落地的海量應用場(chǎng)景,中國已然成為世界上潛力最大的人工智能市場(chǎng)之一。
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手機CMOS傳感器:從背照式向堆棧式“質(zhì)變”

  •   近年來(lái),隨著(zhù)智能手機應用層面上的不斷升級,如今的市場(chǎng)對CIS器件的高幀速率、高像素、寬動(dòng)態(tài)、暗態(tài)以及功能性等“質(zhì)”的方面正提出越來(lái)越高的要求。由于從技術(shù)及性能表現方面來(lái)看,AI手機“軟實(shí)力”的升級過(guò)于迅速,以至于普通的背照式(BSI)CIS在滿(mǎn)足各式各樣的創(chuàng )新應用上有些力不從心,硬件方案亟待升級。因此,在背照式CIS的基礎上,近年來(lái)不少頭部廠(chǎng)商也相繼推出了堆棧式方案的產(chǎn)品,大力推動(dòng)CIS從“量”向“質(zhì)”快速轉變?! ∈聦?shí)上,從2015年起,全球主要的CIS廠(chǎng)商在背照式產(chǎn)品上的投入比重上就已開(kāi)始逐年下滑
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傳索尼及豪威出供貨吃緊 缺貨漲價(jià)潮擴散至CMOS傳感器

  • CMOS芯片將成為繼被動(dòng)元件、金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等之后,又一鬧缺貨的關(guān)鍵電子元件。
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基于TMS320DM6437的掌靜脈圖像采集系統設計

  • 設計并實(shí)現了一種以TMS320DM6437 DSP為核心的掌靜脈圖像采集系統。本系統采用了波長(cháng)為470 nm藍光和波長(cháng)為850 nm近紅外光作為主要光源,通過(guò)手掌和光源
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佳能開(kāi)發(fā)堆疊CMOS傳感器 索尼要有壓力了

  •   繼上次佳能公布的BSICMOS傳感器(背照式傳感器)之后,又一個(gè)可以抗衡索尼的新專(zhuān)利,佳能新的堆疊CMOS傳感器專(zhuān)利浮出水面。索尼A9是世界上第一個(gè)帶有堆疊CMOS傳感器的無(wú)反相機,而堆疊的CMOS傳感器的優(yōu)勢是,整個(gè)數據處理速度比傳統CMOS傳感器快25%,這就是索尼A9相機能夠處理每秒20幀的24MP文件的原因。        不僅堆疊CMOS傳感器,佳能沒(méi)有一個(gè)全畫(huà)幅BSICMOS傳感器。我們也希望佳能可以推出的自己的堆疊CMOS和BSICMOS傳感器,能夠集成PDAF對焦和
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從四大方面分析CCD傳感器與CMOS傳感器的優(yōu)劣

  • CCD傳感器與CMOS傳感器兩者在結構、性能和技術(shù)上均不盡相同,在此我將兩者作一個(gè)簡(jiǎn)單的比較,使廣大讀者對CCD和CMOS能有一個(gè)比較初步的認識。CCD和CMOS傳感器是目前最常見(jiàn)的數字圖像傳感器,廣泛應用于數碼相機、數碼攝像機、照相手機和攝像頭等產(chǎn)品上。兩者在結構、性能和技術(shù)上均不盡相同,在此我將兩者作一個(gè)簡(jiǎn)單的比較,使廣大讀者對CCD和CMOS能有一個(gè)比較初步的認識,在選購相關(guān)產(chǎn)品時(shí)也能做到心中有數。CCD與CMOS傳感器的結構比較CCD(Charge Coupled Device),即“電荷耦合器件
  • 關(guān)鍵字: CMOS傳感器  CCD傳感器  

圖像傳感器技術(shù):視頻監控系統的核心

  • 圖像傳感器技術(shù):視頻監控系統的核心- “圖像不清,看不清楚畫(huà)面,有噪點(diǎn),畫(huà)面不高清,失真,設備耗電量太大了”,這些問(wèn)題都出在監控攝像機的圖像傳感器上。本期我們就詳解下圖像傳感技術(shù)。
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比較CCD傳感器與CMOS傳感器的差異

  • 噪點(diǎn):由于CMOS每個(gè)感光二極管都需搭配一個(gè)放大器,如果以百萬(wàn)像素計,那么就需要百萬(wàn)個(gè)以上的放大器,而放大器屬于...
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東芝發(fā)布業(yè)內最小背照式CMOS傳感器

  • 東芝發(fā)布業(yè)內最小背照式CMOS傳感器東芝發(fā)布用于移動(dòng)設備的新款背照式CMOS傳感器。新傳感器主要為智能...
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中國數碼學(xué)習產(chǎn)品不斷發(fā)展壯大

  • 據iSuppli公司,隨著(zhù)面向新用戶(hù)群的新型產(chǎn)品問(wèn)世,2013年中國數碼學(xué)習設備(DLD)的出貨額將上升到10億美元以上。 DLD是提供數碼學(xué)習內容的電子產(chǎn)品。 2013年DLD銷(xiāo)售額將從2008年時(shí)的7.494億美元上升到11億美元。在此期間,該市場(chǎng)的所有四個(gè)領(lǐng)域——電子詞典,電子學(xué)習機,兒童學(xué)習機和光學(xué)識別設備,預計都將實(shí)現增長(cháng)。 圖1所示為iSuppli公司對中國市場(chǎng)DLD銷(xiāo)售額的預測。 電子詞典是中國的第一代DLD,1989年由日本、香港和臺灣廠(chǎng)
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cmos傳感器介紹

  CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),中文學(xué)名為互補金屬氧化物半導體,它本是計算機系統內一種重要的芯片,保存了系統引導最基本的資料。CMOS的制造技術(shù)和一般計算機芯片沒(méi)什么差別,主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導體,使其在CMOS上共存著(zhù)帶N(帶-電) 和 P(帶+電)級的半導體,這兩個(gè)互補效應所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片紀錄和解讀成影像 [ 查看詳細 ]

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