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低電感ANPC拓撲結構集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)，滿(mǎn)足光伏應用的需求
- 本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術(shù)。950V IGBT結構基于微溝槽理念，與典型1200V技術(shù)相比，新型950V IGBT和二極管的靜態(tài)損耗和/或開(kāi)關(guān)損耗顯著(zhù)降低。通過(guò)分析應用需求與功率模塊設計的相互作用，本文確定了功率模塊的應用結果和優(yōu)化路徑。得益于經(jīng)優(yōu)化的功率模塊設計和采用950V技術(shù)，近期推出的無(wú)基板Easy3B解決方案實(shí)現了全集成1500V ANPC拓撲結構。該拓撲結構的額定電流達到400A，而雜散電感低至僅15nH。1.引言提升開(kāi)關(guān)速度、提高開(kāi)關(guān)頻率和增大功率密度是目前現代功率半導體器
- 關(guān)鍵字： Infineon ANPC
滿(mǎn)足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
- 本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓撲結構。該拓撲結構支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術(shù)優(yōu)化組合，實(shí)現成本效益。市場(chǎng)上將推出一款采用全集成ANPC拓撲結構的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開(kāi)發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實(shí)現輸出功率達到200kW以上。此外，相應的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著(zhù)，該功率模塊適用于儲能系統等新興應用。1.引言過(guò)去十年，光伏產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了大規模增長(cháng)。規模經(jīng)濟效應和光伏系統技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新，促使平準化度電成本降低
- 關(guān)鍵字： Infineon 并網(wǎng)逆變器 ANPC
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