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850nm
850nm 文章 進(jìn)入850nm技術(shù)社區
晶電研發(fā)中心發(fā)表IR 850nm高效率發(fā)光產(chǎn)品
- 晶元光電研發(fā)中心(EPISTARLAB)技術(shù)團隊積極投入研發(fā)，近日成功開(kāi)發(fā)并導入許多前瞻性技術(shù)，如新穎性透明導電薄膜(TCO)材料、復合式反射鏡結構、減少光線(xiàn)吸收之磊晶設計等。EPISTARLAB將相關(guān)技術(shù)導入后，有效地增加光子萃取效率，已大幅提升IR產(chǎn)品效能，創(chuàng )下多項新紀錄。 根據最新數據顯示(如附圖)，SFPN42芯片尺寸1x1mm2，實(shí)驗室環(huán)境中在操作電流40mA下，達最高光電轉換效率75%;操作電流350mA下WPE大于70%;1A操作電流下.發(fā)光強度更是超越了1W，達輸出功率1,0
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850nm介紹
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