EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
4200a
4200a 文章 進(jìn)入4200a技術(shù)社區
用4200A和矩陣開(kāi)關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評估平臺
- _____在現代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當大多數載流子到達漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子誘導的退化（也稱(chēng)為HCI或熱載流子注入）在NMOS和PMOS器件上都可以看到，并會(huì )影響所有區域的器件
- 關(guān)鍵字： 4200A 矩陣開(kāi)關(guān) 可靠性評估平臺 Clarius軟件 泰克
如何用4200A-SCS進(jìn)行晶圓級可靠性測試？
- 每個(gè)芯片上更多器件和更快時(shí)鐘速度的不斷發(fā)展，推動(dòng)了幾何形狀縮小、新材料和新技術(shù)的發(fā)展。由于更脆弱、功率密度更高、器件更復雜和新的失效機制，所有這些因素都對單個(gè)器件的壽命和可靠性產(chǎn)生了巨大的影響，曾經(jīng)壽命為100年的器件的生產(chǎn)工藝現在可能只有10年的壽命，這與使用這些器件的預期工作壽命非常接近。較小的誤差范圍意味著(zhù)，必須從一開(kāi)始就考慮器件的壽命和可靠性，從設備開(kāi)發(fā)到工藝集成再到生產(chǎn)不斷進(jìn)行監控，即使是很小的壽命變化，對今天的設備來(lái)說(shuō)也可能是災難性的。每個(gè)芯片上更多器件和更快時(shí)鐘速度的不斷發(fā)展，推動(dòng)了幾何形狀
- 關(guān)鍵字： 泰克科技 4200A-SCS
| 共3條 1/1 1 |
4200a介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條4200a!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對4200a的理解，并與今后在此搜索4200a的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對4200a的理解，并與今后在此搜索4200a的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473