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2d微縮
2d微縮 文章 進(jìn)入2d微縮技術(shù)社區
應用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)
- 半導體設備大廠(chǎng)應用材料推出多項創(chuàng )新技術(shù)，協(xié)助客戶(hù)運用極紫外光（EUV）持續進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過(guò)兩個(gè)可相互搭配的途徑來(lái)增加未來(lái)幾年的晶體管密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統與材料工程以縮小線(xiàn)寬。另一種是使用設計技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來(lái)增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò )與環(huán)繞閘極晶體管，隨著(zhù)傳統2D微縮技
- 關(guān)鍵字： 應用材料 EUV 2D微縮 3D環(huán)繞閘極 晶體管
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2d微縮介紹
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