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非線(xiàn)性電容
非線(xiàn)性電容 文章 進(jìn)入非線(xiàn)性電容技術(shù)社區
計算MOSFET非線(xiàn)性電容
- 最初為高壓器件開(kāi)發(fā)的超級結MOSFET，電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容，但電荷平衡使后者非線(xiàn)性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著(zhù)減少，但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜?！ OSFET三個(gè)相關(guān)電容不能作為VDS的函數直接測量，其中有的需要在這個(gè)過(guò)程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個(gè)值定義如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，輸入電容CG
- 關(guān)鍵字： MOSFET 非線(xiàn)性電容
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非線(xiàn)性電容介紹
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