- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數
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NandFlash 編程 難點(diǎn)
- 一、自動(dòng)駕駛還需要較長(cháng)的路要走ADAS、自動(dòng)駕駛、無(wú)人駕駛、智能汽車(chē)等詞語(yǔ)風(fēng)靡科技圈，如果哪個(gè)智能硬件團隊或科技公司無(wú)法與這些關(guān)鍵詞建立關(guān)
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無(wú)人駕駛 難點(diǎn) 技術(shù)
- 三網(wǎng)融合，需要在技術(shù)上實(shí)現統一、網(wǎng)絡(luò )上實(shí)現互聯(lián)、業(yè)務(wù)上實(shí)現融合及監管政策上趨于統一，業(yè)界有將三網(wǎng)融合的難點(diǎn)歸咎于體制或政策壁壘。本文結合三網(wǎng)融合試點(diǎn)及推進(jìn)中的難點(diǎn)和問(wèn)題，從市場(chǎng)發(fā)展、業(yè)務(wù)競爭及用戶(hù)需求
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切入點(diǎn) 難點(diǎn) 融合 探索
- 微波器件的薄膜化過(guò)程中會(huì )遇到很多的技術(shù)難點(diǎn)，本文以環(huán)形器薄膜化過(guò)程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來(lái)分析微波器件薄膜化過(guò)程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。工作在微波波段(300～300000兆 赫)的器件。它的電子產(chǎn)品都在向
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難點(diǎn) 技術(shù) 薄膜 器件 微波
- ARM7在嵌入式應用中啟動(dòng)程序技術(shù)難點(diǎn)分析,技術(shù)難點(diǎn)分析⑴.MMU的使用MMU是存儲器管理單元的縮寫(xiě)，是用來(lái)管理虛擬內存系統的器件。MMU通常是CPU的一部分，本身有少量存儲空間存放從虛擬地址到物理地址的匹配表。此表稱(chēng)作TLB(轉換旁置緩沖區)。所有數據請求都送
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技術(shù) 難點(diǎn) 分析 程序 啟動(dòng) 嵌入式 應用 ARM7
- 1前言如何編寫(xiě)單片機應用程序，這是一個(gè)實(shí)踐性很強的題目，也是1項艱苦而細致的工作。如果按照一定的步驟并且找出難點(diǎn)，事先對這些難點(diǎn)加以處理，能夠收到事半功倍的效果。下面根據實(shí)際工作中的經(jīng)驗，談?wù)剬?shí)際開(kāi)發(fā)中
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難點(diǎn) 步驟 應用程序 單片機 編制
- 一、前言 太陽(yáng)能發(fā)電系統的價(jià)格一直居高不下！主要原因是因為太陽(yáng)能的密度低！太陽(yáng)照射到地面上的平均光強為1千瓦/平米；單晶硅的轉化率可以達到23%，多晶可以達到16%，薄膜只能可以達到8%。轉換效率最高的砷化鎵
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及其 解決 方法 難點(diǎn) 技術(shù) 發(fā)電 系統 光光
- LED燈想要達到取代一般節能燈泡，必須要達到LED燈泡光通量達1000Lm，LED的成本必須要下降到每千流明1美金(USD$1...
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led燈 難點(diǎn)
- 一、 關(guān)于手機RF干擾問(wèn)題的解決 針對GSM手機的RF干擾問(wèn)題，劉俊勇指出，GSM 手機是TDMA工作方式，RF收發(fā)并不是同時(shí)進(jìn)行的，減少RF干擾的基本原則是一定要加強匹配和隔離?！ ≡谠O計時(shí)要考慮到發(fā)射機處于大功率發(fā)
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方案 難點(diǎn) 設計 RF 手機
- 1．主要技術(shù)難點(diǎn) ?、偬蚅ED顯示屏上的像素數以萬(wàn)計9隨著(zhù)顯示面積增大，電路結構趨于復雜?！ 、跒榱吮ＷC一定的顯示質(zhì)量，幀頻應在30幀／秒以上。例如，一個(gè)512×252像素的單色LED顯示），每秒的數據傳輸量至
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技術(shù) 難點(diǎn) 解決方案 主要 顯示系統 大型 LED 基于 LED
- 一、前言 太陽(yáng)能發(fā)電系統的價(jià)格一直居高不下！主要原因是因為太陽(yáng)能的密度低！太陽(yáng)照射到地面上的平均光強為1千瓦/平米；單晶硅的轉化率可以達到23%，多晶可以達到16%，薄膜只能可以達到8%。轉換效率最高的砷化
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難點(diǎn) 解析 技術(shù) 系統 發(fā)電 光光
難點(diǎn)介紹
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