EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
閂鎖效應
閂鎖效應 文章 進(jìn)入閂鎖效應技術(shù)社區
功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調在實(shí)際應用中出現大量外機不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經(jīng)過(guò)對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關(guān)波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發(fā)現IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字： 主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
一種非對稱(chēng)雙向可控硅靜電防護器件的設計*
- 非對稱(chēng)雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護環(huán)結構之后，為使I-V特性曲線(xiàn)對稱(chēng)而設計的非對稱(chēng)結構，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設計維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
- 關(guān)鍵字： 202107 非對稱(chēng)可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應
| 共2條 1/1 1 |
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473