門(mén)極驅動(dòng) 文章進(jìn)入門(mén)極驅動(dòng)技術(shù)社區

門(mén)極驅動(dòng)正壓對功率半導體性能的影響

引言對于半導體功率器件來(lái)說(shuō)，門(mén)極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門(mén)極負壓對器件開(kāi)關(guān)特性的影響，而今天我們來(lái)一起看看門(mén)極正電壓對器件的影響。文章將會(huì )從導通損耗，開(kāi)關(guān)損耗和短路性能來(lái)分別討論。對導通損耗的影響無(wú)論是MOSFET還是IGBT，都是受門(mén)極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門(mén)極電壓用得越高，導通損耗越小。因為門(mén)極電壓越高意味著(zhù)溝道反型層強度越強，由門(mén)極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過(guò)相同電流的壓降就越低。不過(guò)器件導通損耗除了受這個(gè)門(mén)極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關(guān)系，一般越薄的導通損
關(guān)鍵字：英飛凌門(mén)極驅動(dòng)

【導讀】先說(shuō)結論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設計的復雜度來(lái)說(shuō)，很多工程師客戶(hù)希望不要使用負壓。下面我們從門(mén)極寄生導通現象來(lái)看這個(gè)問(wèn)題。IGBT是一個(gè)受門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì )產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG電容產(chǎn)生分布電流灌入門(mén)極，使門(mén)極電壓抬升，可能導致原本處于關(guān)斷狀態(tài)的IGBT開(kāi)通，如圖1所示。電流變化di/dt可以通過(guò)發(fā)射極和驅動(dòng)回路共用的
關(guān)鍵字：英飛凌門(mén)極驅動(dòng)

IPM門(mén)極驅動(dòng)隔離電路見(jiàn)圖3，它實(shí)現對80C196MC的6路WM信號與IPM的光電隔離，并實(shí)現驅動(dòng)和電平轉換功能。光藉采用6N137，這是一種快速光耦，三極管N為9014，供電電壓為15V，該三極管將來(lái)自光藉的TTL電平轉換為IPM的門(mén)極驅動(dòng)信...
關(guān)鍵字： IPM 門(mén)極驅動(dòng) 隔離電路

　　Avago Technologies（安華高科技）宣布推出最新的智能型門(mén)極驅動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品，Avago的ACPL-333J和ACPL-330J系列高速I(mǎi)GBT光電耦合器非常容易集成到工業(yè)變頻器和電源管理等應用，例如隔離式IGBT/MOSFET門(mén)極驅動(dòng)、交流和無(wú)刷直流電機驅動(dòng)、工業(yè)變頻器以及不間斷電源等。　　Avago的ACPL-333J和ACPL-330J分別提供2.5A和1.5A的輸出電流，為可以使IGBT失效保護功能更緊湊且成本更低的先進(jìn)、高速并且使用容易的智能型門(mén)極驅動(dòng)產(chǎn)品。采延展型SO-
關(guān)鍵字： Avago 安華高門(mén)極驅動(dòng) 光電耦合

概要器件介紹電流檢測原理電流檢測電路結構布線(xiàn)注意事項 1）器件介紹 IR有四款單通道驅動(dòng)器具有電流檢測功能。IR2121和IR2125分別為低端和高端驅動(dòng)器，它們具有較高的驅動(dòng)能力（1A出/2A 入）。這兩款器件內的電流檢測電路使用一個(gè)定時(shí)電路，由ERR 腳來(lái)確定從檢測出過(guò)流到關(guān)閉輸出的延遲時(shí)間。IR2127 和IR2128 都是高端驅動(dòng)器（IR2127 的輸入為高有效，IR2128的輸入為低有效），它們的輸出能力較低（200mA出/420mA入），電
關(guān)鍵字：門(mén)極驅動(dòng)

共6條 1/1 1