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鎂光表示年內沒(méi)有提升內存芯片產(chǎn)能的計劃 將專(zhuān)注于制程提升

  •   繼三星,力晶等內存芯片大廠(chǎng)對內存芯片產(chǎn)能提升事宜公開(kāi)發(fā)表意見(jiàn)之后,鎂光公司近日也表態(tài)稱(chēng)他們今年沒(méi)有提升內存芯片產(chǎn)能的計劃,鎂光表示他們將專(zhuān)注與縮 減內存芯片的制程尺寸,以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前,三星公司芯片部門(mén)的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開(kāi)表態(tài)稱(chēng)內存芯片業(yè)者不應盲目表態(tài)將增加內存芯片的產(chǎn)量,而是應當把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹慎,以避免犯下和過(guò)去一樣的錯誤。   2005年,全球多家內存芯片廠(chǎng)為了擴增
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鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉向更高級別制程

  •   鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門(mén)的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其N(xiāo)AND閃存芯片制程轉向25nm以下級別,他表示鎂光今年年中將開(kāi)始批量生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片,并將于明年轉向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開(kāi)發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù),以取代現有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。   Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示,鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規范。目
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鎂光南亞合作開(kāi)發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內存芯片

  •   鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開(kāi)展示了其合作開(kāi)發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品,雙方并宣稱(chēng)下一代30nm制程級別的同類(lèi)產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設在Boise的研發(fā)中心開(kāi)始研制。       兩家廠(chǎng)商預計將于今年第二季度開(kāi)始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產(chǎn),并將于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。   兩家廠(chǎng)商宣稱(chēng)其42nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右,比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少,可節省30%電能。   這款42nm 2Gb
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飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

  •   鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線(xiàn),一個(gè)原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意,鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。   這款SSD具體型號RealSSD C300,2.5寸外形設計,包含128和256GB兩種型號,讀取速度高達355MB/s,寫(xiě)入速度達215MB/s,向下兼容3Gbps SATA。預計將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布,128GB版售價(jià)大約450美元。   
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Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制

  •   在本月22日召開(kāi)的一次電話(huà)會(huì )議上,鎂光公司聲稱(chēng)他們很快便會(huì )試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品,并對其進(jìn)行取樣測試。盡管鎂光沒(méi)有透露這種2xnm制程的具體規格數字,但外界認為他們很可能會(huì )于明年初公布有關(guān)的細節信 息。這樣,鎂光及其N(xiāo)AND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù),甩開(kāi)對手三星和東芝,重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng )立有一家專(zhuān)門(mén)負責NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。   除了制造閃存芯片之外,Intel和鎂光還有出售基
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鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

  •   鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段,MLC部分的存儲密度可達32Gb,寫(xiě)入壽命達3萬(wàn)次,是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb,寫(xiě)入壽命同樣為3萬(wàn)次,是普通SLC產(chǎn)品的3倍.   鎂光這次開(kāi)發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface),數據傳輸率最高可達200MB/S,而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。   鎂光表示,明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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臺灣內存公司有望與爾必達鎂光兩家達成技術(shù)合作

  •   近日業(yè)界有猜測稱(chēng)鎂光科技正在請求美國政府幫助游說(shuō)臺灣內存公司(TMC),以便與TMC達成合作關(guān)系。TMC將于本月底對外正式公布自己的技術(shù)合作伙伴。   鎂光駁斥了這一猜測,他們宣稱(chēng)自己通向TMC項目的大門(mén)并沒(méi)有被關(guān)閉,不過(guò)他們需要先與自己的臺灣合作商南亞洽談,以爭得對方的同意。   TMC負責人宣明智將在三月底對外公布TMC公司的技術(shù)合作伙伴。業(yè)界猜測他們可能會(huì )與日系爾必達與美系鎂光兩家廠(chǎng)商達成技術(shù)合作關(guān)系。
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