金屬化合物 文章 進(jìn)入金屬化合物技術(shù)社區

探索埃米世代導線(xiàn)材料 金屬化合物會(huì )擊敗銅嗎？

• 自1990年代中期，銅（Cu）一直用于后段制程，作為內連導線(xiàn)（interconnect）與通孔（via）的主流金屬材料。這些年來(lái)，銅材在雙鑲嵌整合制程上展現了長(cháng)年不敗的優(yōu)良導電性與可靠度，因此過(guò)去認為在芯片導線(xiàn)應用上無(wú)需替換這位常勝軍。但隨著(zhù)技術(shù)世代演進(jìn)，局部導線(xiàn)層持續微縮，關(guān)鍵組件層的線(xiàn)寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下，銅材的電阻會(huì )急遽增加，進(jìn)而影響電路的整體性能。銅世代告終？此外，銅材需要阻障層（barrier）、襯墊層（liner）與覆蓋層（cap layer）才能維持良好的可靠度；這些外加
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