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通態(tài)漏源電阻
通態(tài)漏源電阻 文章 進(jìn)入通態(tài)漏源電阻技術(shù)社區
了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
- 分立 MOSFET 數據表中重要的規格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫(xiě)為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當 FET 處于截止狀態(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導通狀態(tài)”，漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為，您應該很容易認識到該模型與事實(shí)不符。首先，FET 并不真正具有“導通狀態(tài)”。當未處于截止狀態(tài)時(shí)（我們在此
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通態(tài)漏源電阻介紹
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