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超級結mosfet
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Ameya360:平面MOSFET與超級結MOSFET區別

- 今天,Ameya360給大家介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來(lái)的幾篇將談超級結MOSFET相關(guān)的話(huà)題,因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上,根據其特征和特性對使用區分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍??梢钥闯?,Si-MOSFET在這個(gè)比較中,導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET,但在低~中功率條件
- 關(guān)鍵字: MOSFET 超級結MOSFET
同類(lèi)最佳的超級結MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁

- 插電式混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē)(xEV)包含一個(gè)高壓電池子系統,可采用內置的車(chē)載充電器(OBC)或外部的充電樁進(jìn)行充電。充電(應用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能,開(kāi)發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實(shí)現以盡可能短的充電時(shí)間續航更遠的里程至關(guān)重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動(dòng)汽車(chē)OBC和直流充電樁提供完整的系統方案,包括通過(guò)AEC車(chē)規認證的超級結MOSFET、IGBT、門(mén)極驅動(dòng)器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等,
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超級結mosfet介紹
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