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延時(shí)校準、脈沖測試一定要做的事兒！

進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導體的開(kāi)關(guān)特性，可以說(shuō)它伴隨著(zhù)功率器件從研發(fā)制造到應用的整個(gè)生命周期?；陔p脈沖測試獲得的器件開(kāi)關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過(guò)對開(kāi)關(guān)過(guò)程的分析驗證器件設計方案并提出改進(jìn)方向、提取開(kāi)關(guān)特征參數制作器件規格書(shū)、計算開(kāi)關(guān)損耗和反向恢復損耗為電源熱設計提供數據支撐、不同廠(chǎng)商器件開(kāi)關(guān)特性的對比等。測量延時(shí)的影響被測信號在測量過(guò)程中會(huì )經(jīng)歷兩次延時(shí)，不同信號所經(jīng)歷延時(shí)的差別會(huì )對測量結果造成一定的影響。一次延時(shí)是示波器模擬前端的延時(shí)，索性示波器不同通道間延時(shí)差別在 ps 級別，對于
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隨著(zhù)納米技術(shù)日新月異的發(fā)展，研究已深入到原子挨原子的分子級，構造具有全新特性的新結構。特別地，納米電子領(lǐng)域的發(fā)展十分迅速，其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領(lǐng)域。目前的納米電子研究的內容主要是如何開(kāi)發(fā)利用碳納米管、半導體納米線(xiàn)、分子有機電子和單電子器件。
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美國俄亥俄州克利夫蘭市2007年4月10日訊——新興測量需求解決方案的領(lǐng)導者美國吉時(shí)利（Keithley）儀器公司（NYSE代碼：KEI）日前發(fā)布獲獎產(chǎn)品——4200-SCS半導體特征分析系統的最新硬件和軟件升級版本，本次升級引入4200-SCS新一代脈沖測試功能。實(shí)驗室系統的應用將集成直流和脈沖測量功能與完整的應用工具包結合，為用戶(hù)提供完整解決方案。功能增強的脈沖發(fā)生器插卡和新型的示波器插卡，為半導體技術(shù)生產(chǎn)和研究者們提供強大新功能。新升級版本不僅增強了吉時(shí)利4200-PIV工具包功能，還提供兩種新版應
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針對不斷增長(cháng)的測量需求提供解決方案的行業(yè)領(lǐng)袖吉時(shí)利 (Keithley) 儀器公司(NYSE:KEI)，日前發(fā)布6.1版交互式KTEI，暨功能強大的KTEI（吉時(shí)利交互式測試環(huán)境）測量軟件之最新版本，適用于4200-SCS半導體特性分析系統。新版KTEI 6.1軟件增強了吉時(shí)利4200-PIV的脈沖I-V能力并顯著(zhù)改進(jìn)脈沖和DC測量的相關(guān)性。脈沖測試正成為日益重要的新特性分析技術(shù)。高速脈沖避免了自加熱效應可能造成的損壞并應用于新半導體材料和器件的特性分析，例如高k柵層疊特性
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