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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 肖特基勢壘二極管

Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

  • Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
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東芝推出具備更高正向浪涌電流的第二代650V碳化硅肖特基勢壘二極管

  • 　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)，該二極管將該公司現有產(chǎn)品所提供的正向浪涌電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化硅肖特基勢壘二極管出貨即日啟動(dòng)?！　∵@些新的碳化硅肖特基勢壘二極管采用東芝的第二代碳化硅工藝制造，與第一代產(chǎn)品相比，正向浪涌電流提高了約70%，同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗指標“RON?*?Qc”?[1]降低了大約30%，這使它們適合應用于高效功率因數校正(PFC)方案中
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肖特基勢壘二極管介紹

肖特基二極管SBD（Schottky Barrier Diode），又稱(chēng)為金屬-半導體二極管,是近年來(lái)間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。SBD用某些金屬和半導體相接觸，在它們的交界面處便會(huì )形成一個(gè)勢壘區（通常稱(chēng)為“表面勢壘”或“肖特基勢壘”），產(chǎn)生整流，檢波作用。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。 這種器件是由多數載流子導電的 [ 查看詳細 ]

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