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米勒效應
米勒效應 文章 進(jìn)入米勒效應技術(shù)社區
MOSFET基本原理、參數及米勒效應全解
- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場(chǎng)效應管（FET）是利用輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數載流子導電，又稱(chēng)單極型晶體管。場(chǎng)效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場(chǎng)效應管溫度穩定性好、集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類(lèi)，每一類(lèi)又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
- 關(guān)鍵字： MOSFET 參數 米勒效應
米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策
- 搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應”這個(gè)詞困擾。米勒效應增加開(kāi)關(guān)延時(shí)不說(shuō)，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應對呢？我們先來(lái)看IGBT開(kāi)通時(shí)的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開(kāi)通過(guò)程中，GE的電壓從-10V開(kāi)始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導通，開(kāi)始流過(guò)電流，同時(shí)CE電壓下降。CE電壓下降過(guò)程中，門(mén)極電壓不再上升，而是維持在一定的電壓平臺上，稱(chēng)為米勒平臺。在這期間，CE電壓完全降至0V。隨后GE電壓繼續上
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 米勒電容 米勒效應
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米勒效應介紹
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