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相變化內存
相變化內存 文章 進(jìn)入相變化內存技術(shù)社區
相變化內存開(kāi)創(chuàng )新型內存系統設計
- 相變化內存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項技術(shù)集當今揮發(fā)性?xún)却婧头菗]發(fā)性?xún)却鎯纱蠹夹g(shù)之長(cháng)，為系統工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無(wú)
- 關(guān)鍵字： 相變化內存 創(chuàng )新 內存 系統設計
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相變化內存介紹
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