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這幾個(gè)在LED驅動(dòng)電路中會(huì )常犯的錯誤一定要避免！雙層電容LED電路解析
- 這幾個(gè)在LED驅動(dòng)電路中會(huì )常犯的錯誤一定要避免！雙層電容LED電路解析-耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認為L(cháng)ED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時(shí)候電路電壓會(huì )到340V，在有的時(shí)候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實(shí)際上選用600VMOSFET可能節省了一些成本但是付出的卻是整個(gè)電路板的代價(jià)，所以，不要選用600V耐壓的MOSFET，最好選用耐壓超過(guò)700V的MOSFET。
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最經(jīng)典的白光LED電路賞析與分析，PN結溫怎樣避免過(guò)高
- 最經(jīng)典的白光LED電路賞析與分析，PN結溫怎樣避免過(guò)高-實(shí)踐證明，出光效率的限制是導致LED結溫升高的主要原因。目前，先進(jìn)的材料生長(cháng)與元件制造工藝已能使LED極大多數輸入電能轉換成光輻射能，然而由于LED芯片材料與周?chē)橘|(zhì)相比，具有大得多的折射係數，致使芯片內部產(chǎn)生的極大部分光子（》90％）無(wú)法順利地溢出介面，而在芯片與介質(zhì)介面產(chǎn)生全反射，返回芯片內部并通過(guò)多次內部反射最終被芯片材料或襯底吸收，并以晶格振動(dòng)的形式變成熱，促使結溫升高。
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LED熱量的產(chǎn)生如何防止和降低，LED的IC選擇幾點(diǎn)小竅門(mén)
- LED熱量的產(chǎn)生如何防止和降低，LED的IC選擇幾點(diǎn)小竅門(mén)-實(shí)際上，電子在P 區與空穴復合時(shí)釋放的能量，并不是由外電源直接提供的，而是由于該電子在N 區時(shí)，在沒(méi)有外電場(chǎng)時(shí)，它的能級就比P 區的價(jià)電子能級高出Eg。當它到達P 區后，與空穴復合而成為P 區的價(jià)電子時(shí)，它就會(huì )釋放出這？N多的能量。Eg 的大小是由材料本身決定的，與外電場(chǎng)無(wú)關(guān)。外電源對電子的作用只是推動(dòng)它做定向移動(dòng)，并克服PN 結的作用。
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倍壓整流電路設計與分析，多倍壓電路原理解析，橋式整流電路經(jīng)典演示
- 倍壓整流電路設計與分析，多倍壓電路原理解析，橋式整流電路經(jīng)典演示-其工作過(guò)程是，首先在交流的負半周時(shí)交流電源經(jīng)D1對C1充電，接著(zhù)在正半周時(shí)交流電源與C1上的電壓相加經(jīng)D2對電容器C2充電，充得的電壓是電容器C1充電電壓的兩倍。接下來(lái)在負半周時(shí)，除了電源經(jīng)Dl對電容器C1充電之外，交流電源還與C2上的電壓疊加經(jīng)D3對C3、C1充電，C3上的充電電壓是C1上的兩倍。在正半周時(shí)交流電源與C1上的電壓疊加，除了經(jīng)D2對電容器C2充電之外，還與C1、C3上的電壓疊加經(jīng)D4對電容器C4和C2充電，C4上充得的電壓是
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電阻介紹
常用電阻有碳膜電阻、碳質(zhì)電阻、金屬膜電阻、線(xiàn)繞電阻和電位器等。表1是幾種常用電阻的結構和特點(diǎn)。
大多數電阻上，都標有電阻的數值，這就是電阻的標稱(chēng)阻值。電阻的標稱(chēng)阻值，往往和它的實(shí)際阻值不完全相符。有的阻值大一些，有的阻值小一些。電阻的實(shí)際阻值和標稱(chēng)阻值的偏差，除以標稱(chēng)阻值所得的百分數，叫做電阻的誤差。表2是常用電阻允許誤差的等級。
國家規定出一系列的阻值作為產(chǎn) [ 查看詳細 ]
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