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電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序
電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序 文章 進(jìn)入電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序技術(shù)社區
熱插拔的原理、特性與應用
- 隨著(zhù)人類(lèi)生活對現代通信技術(shù)的依賴(lài)程度越來(lái)越高,人們對電源系統的可靠性也提出了越來(lái)越嚴苛的要求,工作系統短暫的中斷,也會(huì )給我們造成無(wú)法估量的損失。若系統部件發(fā)生了故障或是需要升級,它必須在不中斷系統其余部分的情況下進(jìn)行替換,在系統維持運轉的情況下,發(fā)生故障的電路板或模塊將被移除,同時(shí)替換部件被插入。為了達到這一目的,就必須將電源設備設計成具有可在帶電狀態(tài)下插入和拔出,同時(shí)不影響設備其他部分正常工作的特性,也就是我們常說(shuō)的“熱插拔” 特性。熱插拔熱插拔(HotSwap、HotPlug)即帶電插拔,是允許用戶(hù)在
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如何準確監測兩個(gè)不同量程的負載電流?
- 當存儲、處理或網(wǎng)絡(luò )接口卡用于高可用性(始終保持工作狀態(tài))系統時(shí),必須采用熱插拔控制器。負載卡插入系統或從系統拔出時(shí),這種熱插拔電路控制其電源的打開(kāi)和關(guān)閉。它還防止系統在板卡故障條件下發(fā)生過(guò)流。一些更先進(jìn)的熱插拔控制器還具有負載電壓、電流監測功能,可用于計算負載功率。這種信息對于優(yōu)化效率、制冷及分配有限的電源輸出非常有用。隨著(zhù)板卡設計規模越來(lái)越大、系統越來(lái)越復雜,把輸入與板卡之間的功率劃分為兩級或多級“域”有助于系統監測,其中一個(gè)“域”作為輔助電源監測,功率要求比較??;另一個(gè)“域”則為板卡的主電源供電。這種
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如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統的線(xiàn)性浪涌抑制器
- 在工業(yè)電子設備中,過(guò)壓保護是確保設備可靠運行的重要環(huán)節。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統的線(xiàn)性浪涌抑制器,以應對長(cháng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統線(xiàn)性浪涌抑制器不同,開(kāi)關(guān)浪涌抑制器能夠在持續浪涌的情況下保持負載正常運行,而傳統線(xiàn)性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過(guò)其處理能力時(shí)切斷電流??煽康墓I(yè)電子設備通常配備保護電路,以防止電源線(xiàn)路出現過(guò)壓,從而保護電子設備免受損壞。過(guò)壓現象可能在電源線(xiàn)路負載快速變化時(shí)發(fā)生,線(xiàn)路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個(gè)問(wèn)題可通過(guò)輸入保護電路來(lái)解決,比如圖
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET,賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護功能
- 為了滿(mǎn)足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩健的線(xiàn)性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題,這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區(SOA)之間的理想平衡而設計。該半導體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對負載造成損害,并因其低RDS(on
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電路設計要考慮的異常情況
- 電路設計要考慮的異常情況:電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序一、異常情況的思考異常情況的思考1、 電流倒灌集成電路的典型模型如下:1、 D1在大多數CMOS集成電路中起著(zhù)防靜電功能.同時(shí)輔助起著(zhù)輸入端限幅作用。但是在A(yíng)BT,LVT,LVC和AHC/AHCT類(lèi)集成電路中無(wú)此二極管。2、D2是半導體集成所產(chǎn)生的寄生二極管(存在于所有數字集成電路),其輔助功能為對線(xiàn)路反射的下沖信號進(jìn)行限幅,提供一些放電保護功能。3、D3用于保護CMOS電路在放電時(shí)的干擾。在大多數雙極性器件中也存在此二極管,但為寄生
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過(guò)流過(guò)壓過(guò)溫保護設計
- 一、過(guò)流保護我們知道電路板損壞的重要現場(chǎng)之一就是過(guò)流導致器件燒毀,有的甚至起火冒煙引發(fā)事故。因此必須要進(jìn)行功率保護設計,如常用的保險絲或者熱敏電阻就屬于其中簡(jiǎn)單的一種,但是這種保護屬于粗略保護,如果需要針對性的進(jìn)行電流檢測保護還是需要設計電路結構。利用采樣電阻是我們常用的設計方式,通過(guò)采樣電阻進(jìn)行電流檢測然后輸出控制信號?,F在也有很多集成的IC專(zhuān)門(mén)來(lái)進(jìn)行高低邊電流檢測的,如LT6100等。過(guò)流保護主要在于電流檢測上,下面是利用電流鏡的方式采樣,IC內部設計采用此方式進(jìn)行偏置電流設置,因為晶體管的電流是和溝
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過(guò)流保護的電路方案——限制的電流1A是怎么來(lái)的?
- 工程師在開(kāi)發(fā)一些電子項目,不知道是否遇到過(guò)類(lèi)似這樣的問(wèn)題——設計的PCBA電路板,內部有5V電源電路,除了給各個(gè)功能電路供電之外,比如MCU單片機供電、PM2.5傳感器供電、喇叭供電,還需要給外部電路供電。5V電源給內部電路供電還好處理,但給外部電路供電,就不那么簡(jiǎn)單了,因為工程師需要考慮各種不同的情況出現,如外部電路如果短路怎么辦?外部電路,如果電壓超過(guò)了5V怎么辦?還有就是如果外部電路,發(fā)生了異常,內部的電路該怎么判斷呢?本文轉載自“電路一點(diǎn)通”賬號,原作者介紹了安森美(onsemi)一款專(zhuān)門(mén)用來(lái)進(jìn)行
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Bourns擴展Multifuse? PPTC可復位保險絲產(chǎn)品線(xiàn) 推出四款60V產(chǎn)品
- 全新可復位保險絲具備廣泛保持電流選項,可于 2920 封裝尺寸中提供更多設計選擇2023年12月26日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導制造供貨商,擴展其 Multifuse? 聚合物 PTC 可復位保險絲產(chǎn)品線(xiàn),全新推出四款 MF-LSMF 系列。Bourns? MF-LSMF 具備 60 VDC 高額定電壓 Vmax 滿(mǎn)足在更大工作電壓應用中日益增長(cháng)的過(guò)電流保護需求。全新 Bourns 高額定功率 PPTC 同時(shí)具備 0.3 A 至 1.1
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電機的過(guò)流保護元件如何選擇?
- 一,電機保護電路在什么情況下選擇采用電流保險絲?在電路的保護應用中,當發(fā)生單一故障失效,或是并聯(lián)器件發(fā)生的短路情況下,讓保險絲的及時(shí)動(dòng)作斷開(kāi),保護人身安全,保護高價(jià)重要的元器件是一種十分必要的選擇。二,電機保護線(xiàn)路對保險絲的技術(shù)參數要求① FUSE的額定電壓要求大于線(xiàn)路電壓保險絲根據線(xiàn)路的電流I的大小會(huì )工作在三種工作狀態(tài)下:即正常工作區域,工作盲區和熔斷保護區域,當I值小于1倍保險絲額定電流值In,則保險絲是要求不能斷的,我們稱(chēng)之為正常工作區;而1x In<I<2x ln時(shí),則視為盲區,保險絲
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NPC2三電平拓撲橫管過(guò)壓保護開(kāi)關(guān)邏輯
- NPC2三電平拓撲因為其效率高,諧波含量低,在光伏逆變器設計中應用非常廣泛。由下圖可以看到,NPC2由四個(gè)開(kāi)關(guān)管構成,包含豎管T1/T4,橫管T2/T3。在市電異?;蛘吣孀兤飨到y故障時(shí),逆變器是否需要特殊的開(kāi)關(guān)邏輯,對NPC2拓撲中的橫管進(jìn)行過(guò)壓保護呢?我們以橫管T2/3采用50A 650V H5 IGBT IKW50N65H5,豎管T1/4為40A 1200V S6 IGBT IKW40N120CS6為例子。當市電異常時(shí),逆變器啟動(dòng)保護機制,如下圖,從波形上看,T1與T2同時(shí)開(kāi)始關(guān)斷,但因為H5芯片開(kāi)關(guān)
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MIKROE推出新開(kāi)源軟硬件解決方案使數百個(gè)Click板能夠熱插拔到Linux開(kāi)發(fā)環(huán)境中
- 2023年11月16日: MikroElektronika(MIKROE) ,作為一家通過(guò)提供基于成熟標準的創(chuàng )新式硬軟件產(chǎn)品來(lái)大幅縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的嵌入式解決方案公司,今天宣布推出一款基于單線(xiàn)設備的軟硬件開(kāi)源解決方案ClickID,允許Click?板或任何其他mikroBUS?熱插拔到運行嵌入式Linux或類(lèi)似操作系統的開(kāi)發(fā)環(huán)境中。 ClickID為嵌入式工具提升了自動(dòng)化和自診斷水平。當在嵌入式系統上集成了Click板后,它允許軟件識別附加板外圍設備配置,使復雜的操作變得簡(jiǎn)單
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了解熱插拔:熱插拔電路設計過(guò)程示例
- 高可用性系統(如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò )交換機、獨立磁盤(pán)冗余陣列 (RAID) 存儲和其他形式的通信基礎結構)需要設計為在其整個(gè)使用壽命期間幾乎為零停機時(shí)間。如果此類(lèi)系統的某個(gè)組件出現故障或需要更新,則必須在不中斷系統其余部分的情況下更換該組件。在系統保持正常運行的同時(shí),必須卸下電路板或模塊并插入其替換件。此過(guò)程稱(chēng)為熱插拔,或在某些情況下稱(chēng)為熱插拔(模塊與系統軟件交互)。高可用性系統(如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò )交換機、獨立磁盤(pán)冗余陣列 (RAID) 存儲和其他形式的通信基礎結構)需要設計為在其整個(gè)使用壽命期間幾乎為零停機時(shí)間。如
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Vishay推出新型具備可調電流極限和過(guò)壓保護(OVP)的,在2.8V至23V工作的電子保險絲

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出四款小型3 mm x 3 mm TDFN封裝,具有可調電流極限和過(guò)壓保護(OVP)功能的新型電子保險絲---SiP32433A/B和SiP32434A/B。3.5 A SiP32433A/B和6 A SiP32434A/B在2.8 V至23 V輸入電壓范圍內工作——最高達28 VIN?DC ——集成多種控制和保護功能,簡(jiǎn)化設計,減少所需外部組件。日前發(fā)布的Vishay Siliconix單通道負載開(kāi)關(guān)輸入電壓范圍寬,可用于廣
- 關(guān)鍵字: Vishay 過(guò)壓保護 OVP 電子保險絲
過(guò)壓保護:TDK推出具有超低電容和鉗位電壓的超小型TVS二極管

- TDK株式會(huì )社推出具有超低電容和鉗位電壓的ULC 系列TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管,擴展了其用于雙向過(guò)壓保護的 TVS二極管的產(chǎn)品組合。憑借二極管的超低電容值的特點(diǎn),新推出的SD01005SL-ULC101 (B74111U0033M060) 型和SD0201SL-ULC101 (B74121U0033M060) 型在1 MHz 時(shí)的最小電容分別為 ~0.5 pF和 ~0.6 pF。新ULC系列的特點(diǎn)是超低殘壓的防護性能。啟動(dòng)電壓6.3V的產(chǎn)品,在峰值電流8A的條件下,殘壓水平~3.8V;峰值電流16A,
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電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序的理解,并與今后在此搜索電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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