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電子設計基礎:電容
電子設計基礎:電容 文章 進(jìn)入電子設計基礎:電容技術(shù)社區
金融危機影響電子元器件市場(chǎng)
- 由于全球金融市場(chǎng)的大動(dòng)蕩，市場(chǎng)上幾乎沒(méi)有什么好消息，而要確定這次金融動(dòng)蕩對元器件市場(chǎng)的影響則更加困難。消費者的信心己經(jīng)降到歷史低點(diǎn)，由于消費市場(chǎng)占了元器件市場(chǎng)的70%以上，預計年底的假日消費市場(chǎng)將會(huì )十分低迷，并最終導致電子元器件需求下降。通常，元器件市場(chǎng)是買(mǎi)方市場(chǎng)，對部分產(chǎn)品而言，買(mǎi)方一直占據著(zhù)主導的位置。但是，由于原材料和能源價(jià)格的上漲，供貨商們面臨著(zhù)成本上升，因此，電子元器件的價(jià)格也不會(huì )自動(dòng)地下降。 盡管如此，元器件市場(chǎng)仍然有一線(xiàn)曙光：供貨商們對庫存的管理十分嚴格，因此，庫存會(huì )持續地下
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電容漏泄的測量
- 電容器是幾乎所有電氣設備上都會(huì )用到的主要器件。漏阻是電容器被測試的眾多電氣特征中的一個(gè)。漏阻通常被稱(chēng)為“IR”（Insulation Resistance，絕緣電阻），以“兆歐－微法”表示。在其它情況下，漏泄可能被表示為特定電壓（通常為工作電壓）下的漏泄電流。 電容器的漏泄是通過(guò)向電容施加一個(gè)固定電壓，并測量產(chǎn)生的電流測得的。漏流將隨時(shí)間呈指數衰減，因此在測量電流之前，施加電壓必須達到一個(gè)已知的時(shí)間周期（保壓時(shí)間）。 出于統計目的，必須測試一
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安森美半導體推出下一代高速電信設備用浪涌保護器件系列
- 2008年10月10日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的低電容晶閘管浪涌保護器件(TSPD)系列，專(zhuān)為保護下一代高速電信設備而設計。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力，同時(shí)維持低電容和低泄漏，是先進(jìn)電信產(chǎn)品的極佳組合。 NP0080、NP0120和NP0160低電容、低泄漏TSPD器件采用節省空間的TSOP-5封裝，保護數字用戶(hù)線(xiàn)路(DSL)芯片組和線(xiàn)路驅動(dòng)器。雖然在正常電路工
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Vishay 推出高性能、超小型4 線(xiàn)ESD保護陣列
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線(xiàn) ESD 保護陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護兩個(gè)高速 USB 端口或四個(gè)其它高頻信號線(xiàn)，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號的損壞。 VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無(wú)鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設備中的有源 ESD 保護所需的板面空間縮減至最小，這些系統包括便攜式與手持式計算、通
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村田：不斷創(chuàng )新迎來(lái)更大發(fā)展空間
- 產(chǎn)品的革新。從1944年創(chuàng )立于日本京都的一家普通陶瓷作坊到如今執全球電容、濾波器、傳感器牛耳的大公司，村田一直立足陶瓷材料，不斷創(chuàng )新，村田1944年開(kāi)發(fā)的鈦酸鋇陶瓷仍就是現今世界上仍然沿用的兩大電子材料之一，村田一直引領(lǐng)著(zhù)MLCC的發(fā)展，如今，村田又發(fā)現原鈦酸鋇可以吸收CO2，這將為全球解決環(huán)境污染問(wèn)題作出重要貢獻。未來(lái)，村田研發(fā)的重點(diǎn)是哪些？村田如何和中國電子產(chǎn)業(yè)一起比翼齊飛？電容產(chǎn)品的未來(lái)發(fā)展如何？在深圳市創(chuàng )意時(shí)代會(huì )展有限公司策劃的“高交會(huì )電子展ELEXCON2008-行業(yè)領(lǐng)袖話(huà)中國&
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電子設計基礎:電容介紹
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