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漏極
漏極 文章 進(jìn)入漏極技術(shù)社區
漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌
- 開(kāi)關(guān)導通時(shí)，線(xiàn)路和電路板版圖的電感之中會(huì )直接積蓄電能（電流能量）。當該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì )在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式結構，在High Side（以下簡(jiǎn)稱(chēng)HS）和Low Side（以下簡(jiǎn)稱(chēng)LS）之間連接了一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，該圖是LS導通，電路中存在開(kāi)關(guān)電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過(guò)線(xiàn)路電感LMAIN流動(dòng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實(shí)際的版圖設
- 關(guān)鍵字： ROHM 漏極 源極
基于漏極導通區特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程
- 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀(guān)明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 漏極 導通 開(kāi)關(guān)過(guò)程
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漏極介紹
場(chǎng)效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱(chēng)為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)， [ 查看詳細 ]
漏極電路
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