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溝槽型碳化硅
溝槽型碳化硅 文章 進(jìn)入溝槽型碳化硅技術(shù)社區
國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破
- 據南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開(kāi)資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當電流被
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
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溝槽型碳化硅介紹
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