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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 柵極電阻

新型SiC功率器件在Boost電路中的應用分析

  • 摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過(guò)理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開(kāi)關(guān)特性的影響，以及開(kāi)關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  升壓斬波電路  柵極電阻  

MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用

  • MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用, 1.是分壓作用2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止3.防止柵極出現浪涌過(guò)壓(柵極上并聯(lián)的穩壓管也是防止過(guò)壓產(chǎn)生)4.全橋柵極電阻也是同樣機理，盡快泄放柵極電荷，
  • 關(guān)鍵字： Mos管  柵極電阻  工業(yè)電源  

淺析柵極電阻RG對IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響

  • 1 前言　　用于控制、調節和開(kāi)關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(on
  • 關(guān)鍵字： IGBT  柵極電阻  開(kāi)關(guān)特性  性能影響    

柵極電阻RG對IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析

  • 　1 前言　　用于控制、調節和開(kāi)關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
  • 關(guān)鍵字： IGBT  柵極電阻  開(kāi)關(guān)特性  分析    

使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)

  • 1 前言 用于控制、調節和開(kāi)關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(
  • 關(guān)鍵字： IGBT  柵極電阻  開(kāi)關(guān)    
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柵極電阻介紹

　　柵極電阻 　　中文名柵極電阻 　　拼 音shanjidianzu 　　解 釋采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置 　　應 用驅動(dòng)器 　　目錄 　　1簡(jiǎn)介 　　2形成工藝方法 　　3計算 　　4設計、布局和疑難解答 　　柵極驅動(dòng)電路的驅動(dòng)器輸出級是一種典型的設計，采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET。兩個(gè)MOSFET的柵極由相同的信號驅動(dòng)。當信號為高電平時(shí)，N通道 [ 查看詳細 ]

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