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晶背供電技術(shù)的DTCO設計方案

• 一些芯片大廠(chǎng)近期宣布在其邏輯芯片的開(kāi)發(fā)藍圖中導入晶背供電網(wǎng)絡(luò )（BSPDN）。比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本文攜手硅智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網(wǎng)絡(luò )設計的設計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）方案，其中采用了奈米硅穿孔及埋入式電源軌來(lái)進(jìn)行晶背布線(xiàn)。他們展示如何在高效能運算應用充分發(fā)揮該晶背供電網(wǎng)絡(luò )的潛力，并介紹在標準單元進(jìn)行晶背連接的其它設計選擇，探察晶背直接供電方案所能發(fā)揮的最大微縮潛能。長(cháng)久以來(lái)，訊號處理與供電網(wǎng)絡(luò )都在硅晶圓正面進(jìn)行，晶背供電技術(shù)打破了這種傳統，把整個(gè)配電網(wǎng)絡(luò )都移到晶圓背面。硅穿
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