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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 晶圓減薄

宜特晶圓減薄能力達1.5mil

  • 隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)車(chē)蓬勃發(fā)展，對于低功耗要求越來(lái)越高，功率半導體成為這些產(chǎn)業(yè)勢不可擋的必備組件。宜特(TWSE: 3289)晶圓后端工藝廠(chǎng)的晶圓減薄能力也隨之精進(jìn)。宜特今(1/6)宣布，晶圓后端工藝廠(chǎng)（竹科二廠(chǎng)），通過(guò)客戶(hù)肯定，成功開(kāi)發(fā)晶圓減薄達1.5mil(38um)技術(shù)，技術(shù)門(mén)坎大突破。同時(shí)，為更專(zhuān)注服務(wù)國際客戶(hù)，即日起成立宜錦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。 使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil優(yōu)化條件后的損壞層厚度及TEM分析宜
  • 關(guān)鍵字： 宜特  晶圓減薄  

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng )新的封裝，功率MOSFET在不斷進(jìn)步

  • 要點(diǎn)1.導通電阻與柵極電荷規格的改善正在變得更難以實(shí)現和更昂貴。2.作為功率開(kāi)關(guān)器件的選擇，硅遠未到...
  • 關(guān)鍵字： 晶圓減薄  MOSFET  
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晶圓減薄介紹

　　晶圓減薄 　　集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步首先來(lái)源于市場(chǎng)需求的要求，其次是競爭的要求。在集成電路制造中， 　　半導體硅材料由于其資源豐富，制造成本低，工藝性好，是集成電路重要的基體材料。 　　從集成電路斷面結構來(lái)看，大部分集成電路是在硅基體材料的淺表面層上制造。由于制造工藝的 　　要求，對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結構提出很高要求。因此在幾百道工 　　藝流程中，不可 [ 查看詳細 ]

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