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存儲設備
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中國半導體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實(shí)現“跨越趕超”
- “中國半導體產(chǎn)業(yè)有著(zhù)良好的基礎，如果要趕超世界先進(jìn)水平，必須要找準方向、加強合作。”現任美國國家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪(fǎng)時(shí)說(shuō)。 出生于甘肅蘭州的馬佐平現任美國耶魯大學(xué)教授、電機系主任，當天在廣州出席兩年一度的世界華人論壇。作為一名在金屬、氧化物、半導體科學(xué)領(lǐng)域做出重大貢獻的世界知名專(zhuān)家，他對中國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展表示高度關(guān)注并充滿(mǎn)期盼。 馬佐平說(shuō)：“事實(shí)上，參加這次論壇的目的之一就是探討在廣東設廠(chǎng)生產(chǎn)相變存儲器的可能性，而這在世界范圍
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分析稱(chēng)2012年將普及USB3.0 速率可達到4.8G/s
- 賽迪網(wǎng)訊 9月20日消息，據國外媒體報道，調研公司In-Stat預計，到2010年70%的存儲設備將支持USB3.0標準。 早在2007年，USB 3.0標準就已經(jīng)建立。USB 3.0的數據傳輸速度可達到4.8Gbps，是USB2.0的10倍，為傳輸大容量文件帶來(lái)了方便。 In-Stat稱(chēng)，USB 3.0設備將于明年開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)，并將在未來(lái)幾年內漸成主流。到2012年，預計70%的存儲設備將支持USB3.0，其中包括硬盤(pán)、閃存和便攜播放器等。
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