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存儲密度
存儲密度 文章 進(jìn)入存儲密度技術(shù)社區
三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb
- 作為全球化的半導體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì )和2022年度三星內存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對更高密度、更大容量存儲的需求，推動(dòng)了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND 存儲密度
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存儲密度介紹
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