EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
器件結構
器件結構 文章 進(jìn)入器件結構技術(shù)社區
固態(tài)繼電器結構可靠性研究與應用
- 李?帥，張秀鳳 ?。ǜ窳﹄娖鳎ê戏剩┯邢薰?，安徽 合肥 230088） 摘?要：針對空調用固態(tài)繼電器因結構不良導致金線(xiàn)彎曲現象，本文從固態(tài)繼電器失效機理、器件結構工藝設計可靠性等方面進(jìn)行分析。通過(guò)器件失效機理、結構對比、X-RAY等對器件進(jìn)行全方位分析論斷，分析結果表明：固態(tài)繼電器結構設計存在質(zhì)量缺陷，在生產(chǎn)過(guò)程中因樹(shù)脂注入黏度，造成金線(xiàn)彎曲現象。本次從器件本身可靠性設計、內部結構布局設計整改，提升器件產(chǎn)品質(zhì)量?！ ￡P(guān)鍵詞：固態(tài)繼電器；金線(xiàn)；彎曲；器件結構 0 引言 固態(tài)繼電器(Solidst
- 關(guān)鍵字： 201908 固態(tài)繼電器 金線(xiàn) 彎曲 器件結構
變頻空調IPM可靠性研究與應用
- 黎長(cháng)源，李帥，項永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽 合肥 230088） 摘要：針對空調用IPM模塊生產(chǎn)過(guò)程及運輸周轉過(guò)程中出現IPM本體開(kāi)裂問(wèn)題，本文從IPM失效機理、器件結構工藝設計、器件應用環(huán)境設計質(zhì)量可靠性等方面進(jìn)行分析。通過(guò)器件失效機理、結構對比、X光、機械應力測試等對IPM器件本體全方位分析論斷，分析結果表明：IPM整體結構設計存在質(zhì)量缺陷，IPM抗機械應力強度水平低，在實(shí)際應用環(huán)境中以較高的可靠性工作，本次IPM物理機械失效與器件本身設計質(zhì)量缺陷存在較大關(guān)聯(lián)；從器件本身可靠性設計、本
- 關(guān)鍵字： 變頻空調 IPM 開(kāi)裂 器件結構 機械應力 201907
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
- 摘 要：本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應用，分析了以L(fǎng)DMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結構和制造工藝特點(diǎn)。文中結合6寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)，設計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結構；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無(wú)線(xiàn)通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專(zhuān)題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結構 制造工藝
| 共4條 1/1 1 |
器件結構介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條器件結構!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對器件結構的理解，并與今后在此搜索器件結構的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對器件結構的理解，并與今后在此搜索器件結構的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473