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南京江北新區簽約兩個(gè)重大項目

• 近日，江北新區舉行“芯片之城”地標產(chǎn)業(yè)簽約儀式。超芯星半導體項目和中安半導體項目與新區簽約，未來(lái)都將落戶(hù)新區研創(chuàng )園。據了解，江蘇超芯星半導體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，是國內領(lǐng)先的碳化硅材料供應商，碳化硅作為三代半導體材料，將在軌道交通、5G、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域有廣泛的應用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴徑晶體，實(shí)現厚度突破，屬于技術(shù)領(lǐng)先的三代半產(chǎn)品?？偛窟w入研創(chuàng )園后將推動(dòng)上市計劃，項目規劃三年實(shí)現6英寸碳化硅襯底年產(chǎn)3萬(wàn)片，未來(lái)還將在SiC襯底產(chǎn)品的基礎上，將進(jìn)一步研發(fā)S
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