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單電壓基準
單電壓基準 文章 進(jìn)入單電壓基準技術(shù)社區
單電壓基準與雙電壓基準的對決-III
- 在這個(gè)三部分系列博文中，我已經(jīng)討論了生成兩個(gè)良好匹配、低漂移電壓基準的解決方案。我們在第一部分從三個(gè)拓撲結構開(kāi)始，在第二部分比較和對比了性能方面的不同?，F在，我們來(lái)看一看這三個(gè)解決方案的其他設計注意事項：占用的空間和成本。 空間占用和成本 除了系統性能之外，在高密度應用中，PCB面積要求會(huì )十分關(guān)鍵。圖1中給出了每個(gè)解決方案的總PCB空間一覽(未考慮去耦合電容器)。 下方的表1顯示所需空間的簡(jiǎn)單計算結果(只考慮器件本體尺寸)。通過(guò)從一個(gè)封裝尺寸為4.64 m
- 關(guān)鍵字： 單電壓基準 雙電壓基準
單電壓基準與雙電壓基準的對決-I
- 開(kāi)發(fā)一個(gè)低漂移系統會(huì )很難，特別是在使用雙極輸入信號時(shí)更是如此。 諸如圖1中顯示的雙向電流感測的應用要求使用兩個(gè)良好匹配的低漂移基準電壓。第一個(gè)電壓，VREF定義ADC的滿(mǎn)量程范圍。需要一個(gè)偏置電壓，VBIAS，來(lái)電平位移雙極信號。需要使VBIAS= VREF/2，這樣的話(huà)，ADC的正負擺幅相等。我將在這個(gè)系列博文中分三次討論生成兩個(gè)基準電壓的三個(gè)拓撲結構。 圖1：低漂移雙向單電源低端電流感測系統 如圖2中顯示，使用兩個(gè)單獨的電壓基準來(lái)提供一個(gè)簡(jiǎn)單且直接的方
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單電壓基準介紹
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