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單片驅動(dòng)器
單片驅動(dòng)器 文章 進(jìn)入單片驅動(dòng)器技術(shù)社區
電源系統設計優(yōu)化秘技:單片驅動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)
- 現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進(jìn)的開(kāi)關(guān)MOSFET（穩壓器的主要組成部分）及其相應的驅動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級封裝，從而實(shí)現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉換。隨著(zhù)對這
- 關(guān)鍵字： 電源系統設計 單片驅動(dòng)器 MOSFET DrMOS
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單片驅動(dòng)器介紹
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