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功率耗散
功率耗散 文章 進(jìn)入功率耗散技術(shù)社區
高壓柵極驅動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√
- 高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器，可能會(huì )產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動(dòng)集成電路（HVIC）是專(zhuān)為半橋開(kāi)關(guān)應用設計的高邊和低邊柵極驅動(dòng)集成電路，驅動(dòng)高壓、高速MOSFET 而設計?！陡邏簴艠O驅動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書(shū)從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅動(dòng)級。柵極驅動(dòng)器損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 柵極驅動(dòng)器 功率耗散
UCSP封裝的熱考慮
- 摘要：本文討論了UCSP封裝的功率耗散能力和其相對于其他封裝是如何限制輸出功率的。關(guān)鍵詞：UCSP封裝；功率耗散 UCSP 封裝UCSP(晶片級封裝)是一種封裝技術(shù)，它消除了傳統的密封集成電路(IC)的塑料封裝，直接將硅片焊接到PCB上，節省了PCB空間。但也犧牲了傳統封裝的一些優(yōu)點(diǎn)，尤其是散熱能力。大多數音頻放大器的封裝都帶有一個(gè)裸露焊盤(pán)，使IC底層直接連接到散熱器或PCB地層。這種設計為IC到周?chē)h(huán)境提供了一條低熱阻的導熱通道，避免器件過(guò)熱。使用UCSP封裝，IC通過(guò)底部焊球直接焊接到PCB上，因而
- 關(guān)鍵字： 0706_A 雜志_設計天地 模擬技術(shù) 電源技術(shù) UCSP封裝 功率耗散 封裝
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功率耗散介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對功率耗散的理解，并與今后在此搜索功率耗散的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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