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三星新儲存元件 讓中端手機也享大容量

  • 　　在Galaxy S6搭載最高128GB儲存容量后，三星似乎也計畫(huà)讓更多手機也能享有大容量，稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎，同時(shí)最高儲存容量達128GB的3-bits-per-cell NAND Flash儲存元件，并且對應每秒達260MB讀取速度表現，預期將使中階規格以下手機產(chǎn)品，以及多數存儲卡產(chǎn)品能在成本預算內有更大儲存容量選擇。 　　   　　根據三星公布消息，預計將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎，同時(shí)最高儲存容量達128GB的3-bit NAND Flash儲存
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儲存元件介紹

　　存儲元件 　　計算機中主存儲器包括存儲體M，各種邏輯部件及控制電路等，存儲體由許多存儲單元組成，每個(gè)存儲單元又包含若干個(gè)存儲元件，每個(gè)存儲元件能寄存一位二進(jìn)制代碼“0”或“1”，存儲元件又稱(chēng)為存儲基元、存儲元。一個(gè)存儲單元存儲一串二進(jìn)制代碼（存儲字），這串二進(jìn)制代碼的位數稱(chēng)為存儲字長(cháng)，存儲字長(cháng)可以是8位、16位、32位等，如果把一個(gè)存儲體看做是一幢大樓，存儲單元看做是大樓里的每個(gè)房間，那么每 [ 查看詳細 ]

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