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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 二極管

功率MOSFET的由來(lái)及結構原理淺談

  • 什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制...
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SiC二極管 通過(guò)基片薄型化降低導通電阻

  • 　　通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠(chǎng)商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過(guò)研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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Vishay推出新款超小外形的高速紅外發(fā)光二極管

  • 2013 年 11 月7 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光二極管---VSMY14940和VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面發(fā)射器和多量子井(MQW)技術(shù)，具有高發(fā)光強度和光功率，以及快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
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Littelfuse SP3012系列瞬態(tài)抑制二極管陣列的新封裝選擇帶來(lái)布局靈活性

  • 全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse公司，日前宣布為其SP3012系列瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA?二極管)產(chǎn)品新添兩種封裝選擇。與該系列的其它產(chǎn)品類(lèi)似，新器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可防止外部ESD(靜電放電)對高速數據線(xiàn)的敏感型芯片組造成破壞。
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采用全新工藝方法，超越微細化界限的元器件“RASMID?系列”

  • 近年來(lái)，伴隨著(zhù)各種設備的高性能化發(fā)展，對元器件小型化的需求日益高漲。在這種背景下，ROHM很早就開(kāi)始利用獨創(chuàng )的微細化技術(shù)，不斷推進(jìn)元器件小型化的技術(shù)創(chuàng )新。
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加穩壓二極管并聯(lián)穩壓電路

  • 加穩壓二極管并聯(lián)穩壓電路上述電路不動(dòng)，在電容后面加穩壓二極管電路(510Ω、VDz)，按圖1-4接線(xiàn)。 圖1-4當接 ...
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開(kāi)關(guān)電源設計秘笈之降壓/升壓設計中降壓控制器

  • 開(kāi)關(guān)電源設計秘笈之降壓/升壓設計中降壓控制器,電子電路通常都工作在正穩壓輸出電壓下，而這些電壓一般都是由降壓穩壓器來(lái)提供的。如果同時(shí)還需要負輸出電壓，那么在降壓—升壓拓撲中就可以配置相同的降壓控制器。負
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基于Proteus的單片機計時(shí)器設計

  • 基于Proteus的單片機計時(shí)器設計,本系統的設計采用Proteus與Keil軟件結合構建實(shí)驗平臺，這種方法既可以很好的模擬電路的運行效果又可以大大的降低設計成本、縮短設計周期，是目前非常流行的設計方法。
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基于雙通道光電耦合離軸旋轉連接器設計方案

  • 基于雙通道光電耦合離軸旋轉連接器設計方案,本文設計一種新型光電耦合旋轉連接器的方案。通過(guò)復合光場(chǎng)實(shí)現360度雙通道信號連續傳輸。給出了連接器的設計原理，并通過(guò)試驗測試了信號傳輸性能，驗證了連接器的實(shí)際可行性。
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介紹整流電路的類(lèi)型以及相關(guān)原理

  • 電力網(wǎng)供給用戶(hù)的是交流電，而各種無(wú)線(xiàn)電裝置需要用直流電。整流，就是把交流電變?yōu)橹绷麟姷倪^(guò)程。利用具有...
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LED基礎知識大普及

  • LED基礎知識大普及,眾所周知，半導體發(fā)光器件包括半導體發(fā)光二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)LED)、數碼管、符號管、米字管及點(diǎn)陣式顯示屏(簡(jiǎn)稱(chēng)矩陣管)等。而事實(shí)上，數碼管、符號管、米字管及矩陣管中的每個(gè)發(fā)光單元都是一個(gè)發(fā)光二極管。下面我們先從簡(jiǎn)單的原理、特性、應用及封裝逐一來(lái)了解。
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Littelfuse推出的新款低電容瞬態(tài)抑制二極管陣列

  • Littelfuse公司是全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，現已推出兩個(gè)系列的分散式低電容瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA?二極管)，這兩個(gè)系列均經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可幫助電信電路和硬件設計師保護電信接口，以防遭受雷擊感應浪涌和靜電放電(ESD)的破壞。
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MC33035的驅動(dòng)輸出電路

  • MC33035的驅動(dòng)輸出電路,MC33035的3個(gè)上側驅動(dòng)輸出(1、2、24腳)是集電極開(kāi)路的NPN型晶體管，其吸入電流能力為50mA，耐壓為40V，可用來(lái)驅動(dòng)外接逆變橋上橋臂的NPN型功率晶體管和P溝道MOSFET功率管。
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標準CMOS工藝集成肖特基二極管設計與實(shí)現

  • 標準CMOS工藝集成肖特基二極管設計與實(shí)現,隨著(zhù)射頻無(wú)線(xiàn)通訊事業(yè)的發(fā)展，高性能低成本的射頻設計方案越來(lái)越受到人們的親睞。肖特基勢壘二極管在射頻電路中是重要的元件組成，屬于一種多數載流子器件，高頻性能非常優(yōu)越。本文主要介紹一種在標準CMOS工藝的基礎上，提出的集成肖特基二極管設計方法，并且該方法在charted 0.35μm工藝中以MPW的方式得以實(shí)現。
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解決高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容問(wèn)題

  • 解決高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容問(wèn)題,隨著(zhù)高頻開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的不斷完善和日趨成熟，其在鐵路信號供電系統中的應用也在迅速增加。與此同時(shí)，高頻開(kāi)關(guān)電源自身存在的電磁騷擾(EMI)問(wèn)題如果處理不好，不僅容易對電網(wǎng)
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二極管介紹

　　二極管（diode）又叫兩極管， 整流的半導體; 只往一個(gè)方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個(gè)PN接合的2個(gè)端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動(dòng)或不流動(dòng)的性質(zhì)。 二極管的特性與應用 　　幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著(zhù)重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。 　　二極管的應用 　　1、整流二極管 　　利用二極管單向 [ 查看詳細 ]
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