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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定
- 近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì )認為，該項目技術(shù)難度大，創(chuàng )新性顯著(zhù)，總體技術(shù)達到國際先進(jìn)水平。該項目聚焦新能源汽車(chē)、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng )新的迫切需求，突破多項關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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國內首款！中國電科網(wǎng)通超高頻射頻識別芯片批量交付
- 近日，中國電科網(wǎng)絡(luò )通信研究院研發(fā)的超高頻射頻識別芯片陸續交付用戶(hù)。該款芯片是 國內首款完全符合特定標準的射頻識別芯片 ，已成功應用于標識牌系統中，為個(gè)人信息標識、相關(guān)信息存儲提供安全保障。中國電科表示， 該芯片在基帶、射頻、存儲器等方面取得大量原始技術(shù)創(chuàng )新成果，在靈敏度、可靠性等指標上相較于同類(lèi)型產(chǎn)品實(shí)現較大提升。前不久，中國電科49所超低溫鉑電阻研制成功，實(shí)現最低測量溫度零下196℃。鉑電阻是溫度傳感器的關(guān)鍵敏感元件，具有精度高、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，通常的測量范圍是零下
- 關(guān)鍵字： 中國電科 超高頻識別芯片 射頻芯片
我國在微波集成電路領(lǐng)域首次主導制定，中國電科發(fā)布兩項半導體國際標準
- IT之家?12 月 7 日消息，據中國電子科技集團有限公司（中國電科）消息，近日，由中國電科產(chǎn)業(yè)基礎研究院主導制定的兩項半導體國際標準正式發(fā)布，這也是我國在微波集成電路領(lǐng)域首次提出并主導制定的國際標準。據介紹，兩項標準瞄準 5G 通信、電子測量等領(lǐng)域廣泛應用的微波集成電路，規定了衰減器、限幅器的指標體系和測試方法，為規范產(chǎn)品性能測試和質(zhì)量評價(jià)提供標準支撐，對現有微波器件標準體系進(jìn)行有效補充和完善，體現了我國在該領(lǐng)域的技術(shù)水平和實(shí)力。近年來(lái)，中國電科產(chǎn)業(yè)基礎研究院主導制定發(fā)布四項國際標準，有力提升
- 關(guān)鍵字： 中國電科 5G 電子測量
中國高能離子注入機核心技術(shù)難關(guān)得到突破！
- 據“中國電科”報道，國內高能離子注入機核心技術(shù)難關(guān)得到突破！由中國電科所屬北京爍科中科信設備研發(fā)團隊自主研制的國內首臺高能離子注入機已順利進(jìn)駐國內先進(jìn)集成電路大生產(chǎn)線(xiàn)。作為集成電路芯片制造的關(guān)鍵設備，離子注入機設備的研制難度極大、研制基礎薄弱，其應用也非常廣泛，不僅可以用做大規模集成電路和器件和半導體材料的離子注入，還能用于金屬材料表面改性和制膜等方面。其中，低能大束流離子注入機被應用于制程邏輯、DRAM、3D存儲器和CIS芯片制造中，高能離子注入機則較多應用在功率器件、IGBT、5G射頻、CIS、邏輯芯
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中國電科55所兩項目獲得國家支持
- 近日，中國電科55所國博公司上報的《2012-2014年集成電路企業(yè)研發(fā)能力實(shí)施方案》，憑借過(guò)硬的產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎、良好的發(fā)展前景、具體的可行方案，順利通過(guò)評審，獲得國家發(fā)改委和財政部項目支持。 在“十二五”期間，中國電科國博公司計劃在射頻集成電路和模塊研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域，通過(guò)穩步發(fā)展射頻基站產(chǎn)品、大力推廣終端產(chǎn)品、擴展新興產(chǎn)業(yè)方向，保持快速持續健康的發(fā)展。預計在2015年，國博電子將在射頻芯片及模塊產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域繼續保持國內領(lǐng)先的地位，并在技術(shù)上緊跟國際知名公司、達到國際先進(jìn)水平，在規
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