LED辭典
表面粘著(zhù)型LED的出現是在1980年初,是因應更小型封裝和工廠(chǎng)自動(dòng)化而生。初期廠(chǎng)商裹足不前,主要因素是表面粘著(zhù)LED最早面臨的問(wèn)題是無(wú)法完成高溫紅外線(xiàn)下焊錫回流的步驟。LED的比熱較IC低,溫度升高時(shí)不僅會(huì )造成亮度下降,且超過(guò)攝氏100度時(shí)將加速組件的劣化。LED封裝時(shí)使用的樹(shù)脂會(huì )吸收水分,這些水分子急速汽化時(shí),會(huì )使原封裝樹(shù)脂產(chǎn)生裂縫,影響產(chǎn)品效益。在1990年初,HP和Siemens Component Group合作開(kāi)發(fā)長(cháng)分子鍵聚合物,作為表面粘著(zhù)型LED配合取放機器的設計,表面粘著(zhù)型LED到此才算正式登場(chǎng)。
LED Light Emitting Diode。發(fā)光二極管。
LED為通電時(shí)可發(fā)光的電子組件,是半導體材料制成的發(fā)光組件,材料使用III- V族化學(xué)元素(如:磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等),發(fā)光原理是將電能轉換為光,也就是對化合物半導體施加電流,透過(guò)電子與電洞的結合,過(guò)剩的能量會(huì )以光的形式釋出,達成發(fā)光的效果,屬于冷性發(fā)光,壽命長(cháng)達十萬(wàn)小時(shí)以上。LED最大的特點(diǎn)在于:無(wú)須暖燈時(shí)間(idling time)、反應速度很快(約在10^-9秒)、體積小、用電省、污染低、適合量產(chǎn),具高可靠度,容易配合應用上的需要制成極小或數組式的組件,適用范圍頗廣,如汽車(chē)、通訊產(chǎn)業(yè)、計算機、交通號志、顯示器等。
LED又可以分成上、中、下游。從上游到下游,產(chǎn)品在外觀(guān)上差距相當大。上游是由磊芯片形成,這種磊芯片長(cháng)相大概是一個(gè)直徑六到八公分寬的圓形,厚度相當薄,就像是一個(gè)平面金屬一樣。LED發(fā)光顏色與亮度由磊晶材料決定,且磊晶占LED制造成本70%左右,對LED 產(chǎn)業(yè)極為重要。上游磊晶制程順序為:?jiǎn)涡酒?III-V族基板)、結構設計、結晶成長(cháng)、材料特性/厚度測量。
中游廠(chǎng)商就是將這些芯片加以切割,形成為上萬(wàn)個(gè)晶粒。依照芯片的大小,可以切割為二萬(wàn)到四萬(wàn)個(gè)晶粒。這些晶粒長(cháng)得像沙灘上的沙子一樣,通常用特殊膠帶固定之后,再送到下游廠(chǎng)商作封裝處理。中游晶粒制程順序為:磊芯片、金屬膜蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測量。而,下游封裝順序為:晶粒、固晶、粘著(zhù)、打線(xiàn)、樹(shù)脂封裝、長(cháng)烤、鍍錫、剪腳、測試。
國內主要的LED生產(chǎn)廠(chǎng)商有:鼎元、光磊、國聯(lián)、億光等企業(yè)。
紅外線(xiàn)發(fā)光二極管 紅外線(xiàn)Light Emitting Diode。
主要以GaAs系列材料發(fā)展為主,通常以L(fǎng)PE液相磊晶法的方法制作,發(fā)光波長(cháng)從850~940不等。
GaP 磷化鎵。
磷化鎵,是Ⅲ-Ⅴ族(三五族)元素化合的化合物。GaP是一種間接遷移型半導體,具有低電流、高效率的發(fā)光特性,可發(fā)光范圍函蓋紅色至黃綠色,為L(cháng)ED主要使用材料之一。
GaN 氮化鎵。
氮化鎵,是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。GaN使MOVPE制作技術(shù),可制作高亮度純藍光LED及純綠光LED,更可應用于藍光、綠光雷射二極管之制作。MOVPE雖已是一成熟的磊晶制作技術(shù),但以此技術(shù)制作GaN藍光LED其中仍須相當的專(zhuān)業(yè)知識、經(jīng)驗和技巧
AlInGaP 磷化鋁銦鎵。
AlInGaP此材料是近年來(lái)用在高亮度LED之制造上較新的材料,使用MOVPE磊晶法制程。目前世界上僅有三家廠(chǎng)商供應此產(chǎn)品的公司,即美國HP、日本Toshiba、臺灣國聯(lián)光電。{{分頁(yè)}}
AlGaAs 砷化鋁鎵。
為GaAs和AlAs的混晶。AlGaAs適合于制造高亮度紅光及紅外線(xiàn)LED,主要以L(fǎng)PE磊晶法量產(chǎn),但因需制作AlGaAs基板,技術(shù)難度高。
反向粘著(zhù)型薄芯片LED reverse mounting type 薄芯片LED。
此種芯片可粘著(zhù)在穿式印刷電路板上,減少LED所占的厚度。主要可用作可攜式電話(huà)按鍵之背光源。
側面發(fā)光直角LED
此種LED芯片是從最上層面發(fā)光,但可將發(fā)光面旋轉一個(gè)面焊接。側面發(fā)光直角LED有超小型和高亮度兩種,超小型是用于LCD背光源、呼叫器、行動(dòng)電話(huà);高亮度型是用作汽、機車(chē)第三剎車(chē)燈和戶(hù)外顯示器。
直角表面粘著(zhù)型LED燈泡 SIDELED。
直角表面粘著(zhù)型LED燈泡不需額外的光學(xué)件或反射器,焊接后光線(xiàn)的行徑路線(xiàn)可與各電路板平行,使工程人員在設計時(shí)有較大的彈性,因而可在設計的后段再加上此產(chǎn)品,而不需事先考慮。產(chǎn)品可應用在自動(dòng)安全斷電開(kāi)關(guān)、背光源和光導管等,用作電話(huà)和數據處理系統的指示燈。
可見(jiàn)光LED 可見(jiàn)光Light Emitting Diode。
LED(發(fā)光二極管)的種類(lèi)繁多,依發(fā)光波長(cháng)大致分為可見(jiàn)光與不可見(jiàn)光兩類(lèi)??梢?jiàn)光LED產(chǎn)品主要包括傳統 LED、高亮度AlGaInP(磷化鋁鎵銦)紅、黃、橘光 LED及InGaN(氮化銦鎵)藍、綠光LED、以及白光LED。其產(chǎn)品以顯示用途為主,又以亮度一燭光(1 cd)作為一般LED和高亮度LED之分界點(diǎn)。一般LED廣泛應用于各種室內顯示用途;高亮度LED后者則適合于戶(hù)外顯示,如汽車(chē)第三煞車(chē)燈、戶(hù)外信息看板和交通號志等。
不可見(jiàn)光LED 不可見(jiàn)光Light Emitting Diode。
LED(發(fā)光二極管)的種類(lèi)繁多,依發(fā)光波長(cháng)大致分為可見(jiàn)光與不可見(jiàn)光兩類(lèi)。不可見(jiàn)光LED,波長(cháng)850至 1550奈米,其短波長(cháng)紅外光可作為紅外線(xiàn)無(wú)線(xiàn)通訊使用,如紅外線(xiàn)LED應用在影印紙張尺寸檢知、家電用品遙控器、工廠(chǎng)自動(dòng)檢測、自動(dòng)門(mén)、自動(dòng)沖水裝置控制等;長(cháng)波長(cháng)紅外光,則應用在中、短距離光纖通訊上,作為光通訊用光源。
GaN LED 氮化鎵發(fā)光二極管。
GaN LED是屬于直接能隙之半導體材料, 其能隙為3.4ev, 而AlN為6.3ev, InN為2.0ev,將這幾種材料做成混晶時(shí),可以將能隙從2.0ev連續改變到6.3ev,因此可以獲得從紫外線(xiàn)、紫光、藍光、綠光到黃光等范圍的顏色。{{分頁(yè)}}
目前最成功的GaN組件有高亮度藍光及綠光LED,因GaN高亮度藍光、綠光LED的開(kāi)發(fā)成功,使得戶(hù)外全彩 LED顯示器及LED交通號志得以實(shí)現,各種 LED的應用也更加廣泛。以高亮度藍光LED激發(fā)螢光物質(zhì)(phospher)可以產(chǎn)生白光,其低耗電及高壽命的特性,未來(lái)有可能取代一般照明用的白熾燈泡,GaN LED的市場(chǎng)潛力十分雄厚。
OLED OELD。Organic Electro-Luminescence Display。有機電激發(fā)光。
透過(guò)電流驅動(dòng)有機薄膜來(lái)發(fā)光,其發(fā)光可為單獨的之紅色、藍色、綠色,甚至是全彩。由于OLED所使用的有機化合物材料會(huì )自行發(fā)光,因此不像LCD面板后方須要加上背光源,可以大幅降低耗電、簡(jiǎn)化制程、使面板厚度變薄。OLED的特點(diǎn)為具有自發(fā)光、廣視角、響應速度快、低耗電量、對比強、亮度高、厚度薄、可全彩化,及動(dòng)畫(huà)顯示等,被認為是極具潛力的平面顯示技術(shù)。國內目前有錸寶、光磊、東元激光、翰立光電等廠(chǎng)商投入。
室內用LED顯示看板
LED顯示看板不管尺寸大小,都是由單一組件的LED加以拼裝而成,LED的單一組件,來(lái)自下游封裝好的點(diǎn)矩陣式的LED,或是單位模塊 Cluster,再由顯示看板的廠(chǎng)商將這些單一組件,依照各種不同的需求,組裝成各種大型的看板,加上控制電路,然后到各施工地點(diǎn)安裝測試。
室內用的LED 顯示看板,因觀(guān)看的距離近,所以要求的分辨率較高,一般是使用點(diǎn)矩陣式模塊,因室內的環(huán)境較穩定,所以比較不需要做防水防護裝置及散熱等措施,施工方面比較容易。
戶(hù)外用LED顯示看板
LED顯示看板不管尺寸大小,都是由單一組件的LED加以拼裝而成,LED的單一組件,來(lái)自下游封裝好的點(diǎn)矩陣式的LED,或是單位模塊Cluster,由顯示看板的廠(chǎng)商將這些單一組件,依照各種不的需求,組裝成各種大型的看板,加上控制電路,然后到各施工地點(diǎn)安裝測試。
戶(hù)外LED看板,觀(guān)看距離較遠,分辨率要求相對的較低,但對亮度、可見(jiàn)度及耐候性的要求都比較高,所以在戶(hù)外的施工上比較需要考慮散熱和防水等問(wèn)題。
大型LED顯示屏
大型LED顯示屏需要組合不同的元組件與技術(shù),一家廠(chǎng)商很難完全自產(chǎn)自足,因此外圍產(chǎn)業(yè)的分工十分重要。大型 LED顯示屏需要的元組件包括:Driver IC、LED Cluster、Power Supply、Cable及機械框架等;技術(shù)方面的需求包括:防靜電設計、電力配電規劃、驅動(dòng)線(xiàn)路設計、驅動(dòng)軟件設計、機械結構設計(散熱、視角、支撐、遮陽(yáng)、防潮等考量)以及亮度、色度的測試技術(shù)等。
UV LED紫外線(xiàn)二極管
UV LED(紫外線(xiàn)發(fā)光二極管)照明不僅可凈化空氣、節約能源,并可望取代現有的螢光燈與白熱燈等照明裝置,加上過(guò)去僅及405nm的波長(cháng)帶最近擴大到200nm,預期應用范圍將大幅擴大到殺菌、廢水處理、除臭、醫療、皮膚病治療、辨識偽鈔與環(huán)境Sensor等領(lǐng)域。{{分頁(yè)}}
光通量 (Luminous flux,Φ)單位為:流明 (lumen, lm)由一光源所發(fā)射并被人眼感知之所有輻射能稱(chēng)之為光通量。 光強度 (luminous intensity, I )光源在某一方向立體角內之光通量大小。單位:坎德拉 (candela, cd) 照度 (Illuminance, E)單位:勒克斯 (Lux, lx)照度是光通量與被照面之比值。1 lux之照度為1 lumen之光通量均勻分布在面積為一平方米之區域。 輝度 (Luminance, L)單位:坎德拉每平方米 (cd/㎡)一光源或一被照面之輝度指其單位表面在某一方向上的光強度密度,也可說(shuō)是人眼所感知此光源或被照面之明亮程度。
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)LED)?
是一種藉外加電壓激發(fā)電子而放射出光(電能→光)的光電半導體組件。發(fā)光現象屬半導體中的直接發(fā)光(沒(méi)有第三質(zhì)點(diǎn)的介入)。整個(gè)發(fā)光現象可分為三個(gè)過(guò)程(直接發(fā)光):
價(jià)電帶的電子受外來(lái)的能量(順向偏壓),被激發(fā)至導電帶,并 同時(shí)于價(jià)電帶遺留一個(gè)電洞,形成電子-電洞對。受激發(fā)的電子于導電帶中,與其它質(zhì)點(diǎn)碰撞(散射),損失部份能量,而接近導電帶邊緣。一旦導電帶邊緣的電子于價(jià)電帶覓得電洞時(shí),電子即從導電帶邊緣,經(jīng)由陷阱中心(釋放熱能)或發(fā)光中心(釋放光能),回到價(jià)電帶與電洞復合,電子-電洞對消失。
因為L(cháng)ED主要是電子經(jīng)由發(fā)光中心與電洞復合而發(fā)光,所以是一種微細的固態(tài)光源,不但體積小、壽命長(cháng)、驅動(dòng)電壓低、反應速率快、耐震性特佳,而且能夠配合輕、薄和小型化之應用設備的需求,成為日常生活中十分普遍的產(chǎn)品。
利用各種化合物半導體材料及組件結構之變化,設計出不同的LED。依其發(fā)光波長(cháng)分為可見(jiàn)光、不可見(jiàn)光(紅外光、紫外光)。
可見(jiàn)光:有紅、橙、黃、綠、藍、紫等各種顏色,主要以顯示用 途為主。又以亮度1燭光 (cd) 作為一般亮度和高亮度之分界點(diǎn)。一般亮度LED廣泛應用于各種室內顯示用途;高亮度LED則適合于戶(hù)外顯示,如:汽車(chē)第三煞車(chē)燈、戶(hù)外信息看板和交通號志等。 不可見(jiàn)光:短波長(cháng)紅外光可作為紅外線(xiàn)無(wú)線(xiàn)通訊使用;長(cháng)波長(cháng)紅外光則使用在中、短距離光纖通訊上,作為光通訊用光源。
使用的材料基本上已大致決定LED所釋出的波長(cháng),其中,適合制作1000mcd以上之高亮度LED的材料,由長(cháng)波長(cháng)而短波長(cháng),分別為AlGaAs(砷化鋁鎵)、AlGaInP(磷化鋁銦鎵)及GaInN(氮化銦鎵)等。
AlGaAs(砷化鋁鎵)適合于制造高亮度紅光及紅外線(xiàn) LED,主要以液相磊晶(LPE)法進(jìn)行量產(chǎn),使用雙異質(zhì)接面構造(DH)為主,但因為須制作AlGaAs基板,技術(shù)的困難度很高,故投資開(kāi)發(fā)的廠(chǎng)商較少。 AlGaInP(磷化鋁銦鎵)適合于高亮度紅、橘、黃及黃綠光LED,主要以金屬有機氣相磊晶(MOVPE)法進(jìn)行量產(chǎn),使用雙異質(zhì)接面(DH)及量子井 (QW)構造,效率更為提高。且由于A(yíng)lGaInP紅光LED在高溫與高濕環(huán)境下,其壽命試驗結果優(yōu)于A(yíng)lGaAs紅光LED,未來(lái)有成為紅光LED主流的趨勢。
GaInN(氮化銦鎵)適合于高亮度深綠、藍、紫及紫外光 LED,以高溫的金屬有機氣相磊晶(MOVPE)法進(jìn)行量產(chǎn),也采用雙異質(zhì)接面 (DH)及量子井(QW) 構造,效率比前述的 AlGaAs、AlGaInP 更高。全球各大廠(chǎng)均已積極投入相關(guān)材料組件技術(shù)之研發(fā),并有所突破。
白光LED,乃是日本日亞公司利用藍光LED加上黃色螢光材料構成的,其光電轉換效率于 1998年4月已提升至15流明/瓦,比傳統燈泡略高,若以常見(jiàn)照明燈具之開(kāi)發(fā)歷程來(lái)看,白光LED極有機會(huì )成為未來(lái)于照明產(chǎn)業(yè)之明星產(chǎn)品。
LED設計之初,主要是利用于家用電器品顯示器,廣告看板或裝飾用。但由于其具有固定波長(cháng)及操作方便等特點(diǎn),已逐漸利用于植物生產(chǎn)研究上。1987年開(kāi)始有學(xué)者利用LED固定波長(cháng)特性,應用在植物向地性,型態(tài)改變及病害發(fā)生上的研究。日本千葉大學(xué)古在(Kozai)教授研究室將其應用在組織瓶苗的生產(chǎn)研究上。預計未來(lái)在光研究上將有極大應用價(jià)值。當然,目前LED亮度和價(jià)格仍未達實(shí)用化階段,不過(guò),由于極具市場(chǎng)潛力,各方面研究正急速的展開(kāi),LED勢必成為提供植物生長(cháng)的新興光源。
外延片生長(cháng) 外延生長(cháng)的基本原理是,在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有紅寶石和SiC兩種)上,氣態(tài)物質(zhì)In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面,生長(cháng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(cháng)技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積方法。MOCVD金屬有機物化學(xué)氣相淀積(Metal- OrganicChemicalVaporDeposition,簡(jiǎn)稱(chēng) MOCVD), 1968年由美國洛克威爾公司提出來(lái)的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術(shù)。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計算機多學(xué)科為一體,是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專(zhuān)用設備,主要用于GaN(氮化鎵)系半導體材料的外延生長(cháng)和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造,也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專(zhuān)用設備之一。
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