RFMD MEMS技術(shù)將在RF應用中實(shí)現突破性整合

　　日前，RF Micro Devices(RFMD)宣布推出專(zhuān)有微機電系統 (MEMS) - 面向 RF 及其他應用的技術(shù)。RFMD 期望其專(zhuān)有的 MEMS 技術(shù)將在 RF 及其他應用中實(shí)現突破性的性能及空前水平的功能整合。

　　RFMD 推出的第一批 RF MEMS 器件將是面向 3G 多模手機的 RF MEMS 發(fā)送/接收開(kāi)關(guān)及 RF MEMS 模式開(kāi)關(guān)。通過(guò)極大減小產(chǎn)品占位面積并提高效率，從而延長(cháng)手機通話(huà)時(shí)間，RFMD 的 MEMS 開(kāi)關(guān)技術(shù)將有助于加速 3G 部署。當與面向前端解決方案(GaAs、SOI 及硅)的 RFMD 業(yè)界領(lǐng)先工藝技術(shù)相結合時(shí)，RFMD 的 RF MEMS 開(kāi)關(guān)技術(shù)將樹(shù)立低成本、小尺寸及超高性能前端的新標準。

　　RFMD 的 MEMS 開(kāi)關(guān)還將在功率放大器 (PA) 的輸出電路中使用，以創(chuàng )建可調諧的 PA，公司預計這將實(shí)現真正自適應的收發(fā)器解決方案。

　　RFMD 研發(fā)副總裁 Victor Steel 指出：“RFMD 專(zhuān)有 MEMS 技術(shù)的商業(yè)化以及我們 200mm MEMS 研發(fā)制造廠(chǎng)的建設強調了 RFMD 不斷致力于通過(guò)一流的創(chuàng )新實(shí)現產(chǎn)品領(lǐng)先地位。RFMD 是唯一能夠將混合信號 CMOS、功率管理、功率放大器、RF 開(kāi)關(guān)及 RF MEMS 結合在低成本晶圓級封裝的單片解決方案中的公司。隨著(zhù)我們業(yè)界領(lǐng)先 MEMS 功能的商業(yè)化，我們將能夠進(jìn)一步提供可預計并超出我們客戶(hù)日益增長(cháng)的 RF 需求的高整合度 RF 解決方案?！?/P>

　　加州大學(xué)圣地亞哥分校教授 Gabriel M. Rebeiz 強調：“現有 RF MEMS 開(kāi)關(guān)技術(shù)基于小制造批次及晶圓到晶圓封裝技術(shù)，這最終會(huì )增加器件成本。RFMD 方法及其硅片上的高整合度針?shù)h相對地解決了這一問(wèn)題，并最終將提高產(chǎn)量及性能以及極大降低成本?！?/P>

　　RFMD 的 RF MEMS 開(kāi)關(guān)為高功率歐姆接觸式 MEMS 開(kāi)關(guān)，它們是 RF CMOS SOI 晶圓上后處理的 IC，密封在晶圓級封裝 (WLP) 電介質(zhì)圓頂中。使 RF MEMS 開(kāi)關(guān)運行所需的所有必要電路均被集成到了基本 CMOS 中，包括可靠接通功率 MEMS 開(kāi)關(guān)所需的大電壓及控制信號的產(chǎn)生。RF MEMS 開(kāi)關(guān)完全支持 RFMD 苛刻的蜂窩 RF 功率模塊要求，包括低插損及高隔離(典型0.2dB/35dB @ 1.9GHz)以及高諧波抑制(典型>90dBc)，同時(shí)還符合嚴格的可靠性及設計與生產(chǎn)成本要求。

　　除 RF MEMS 開(kāi)關(guān)外，RFMD 還正在積極推動(dòng)其他 MEMS 器件的商業(yè)化，例如 RF MEMS 濾波器、RF MEMS 共鳴器(晶體替代器件)及 MEMS 傳感器。公司期望其 MEMS 技術(shù)連同其在高性能射頻系統中的現有核心能力將最終實(shí)現能夠適應任何無(wú)線(xiàn)協(xié)議 – 蜂窩或非蜂窩 – 的單片前端及軟件定義無(wú)線(xiàn)電。

　　RFMD 將構建 200mm 研發(fā)晶圓制造廠(chǎng)以支持其不斷的 MEMS 開(kāi)發(fā)。該 MEMS 研發(fā)制造廠(chǎng)將與 RFMD GaN 研發(fā)機構共同位于北卡羅萊納 Mooresville 的新工廠(chǎng)中。