增益可調的高性能低噪聲放大器的設計與實(shí)現
低噪聲放大器(Low-noise Amplifier,簡(jiǎn)稱(chēng)LNA)是處于接收機最前端的關(guān)鍵部件,廣泛應用于移動(dòng)通信、雷達、電子對抗及遙控遙測系統。它的主要作用是放大天線(xiàn)從空中接收到的微弱信號,降低噪聲干擾,提高接收信號靈敏度,以供系統解調出所需的信息數據,其噪聲、線(xiàn)性和匹配等性能好壞直接影響到整個(gè)接收系統的性能,本文著(zhù)重對實(shí)現增益可調和提高電路的線(xiàn)性度和穩定性、降低噪聲系數及改善電路的輸入/ 輸出匹配特性的方法進(jìn)行了分析研究。
目前,低噪聲放大器的設計普遍采用CAD 的方法進(jìn)行仿真,相對而言,先進(jìn)設計系統(ADS)功能強大,簡(jiǎn)明直觀(guān),應用范圍較廣,本文使用ADS軟件,通過(guò)線(xiàn)性或非線(xiàn)性的操作模式對放大器電路進(jìn)行模擬仿真。
接收機前端結構
在設計接收機時(shí),應充分考慮它的容錯性,一旦某器件出現故障,系統仍能正常工作,一般用冗余設計的方法來(lái)保證其高可靠性。
如圖1 所示,當LNA 出現故障時(shí),旁路開(kāi)關(guān)的切換可以使輸入信號不經(jīng)過(guò)LNA 而直接輸出,保證系統仍然能正常運行。本設計采用PIN 開(kāi)關(guān)二極管HSMP-4890 實(shí)現旁路控制,在LNA 斷電的情況下,信號旁路,且通過(guò)控制模塊告警。再則,L N A 采用平衡結構,這樣,能保證輸入和輸出50 Ω阻抗匹配,并且比單級放大結構的截取點(diǎn)高3 dB,這種冗余結構也增強了系統工作的可靠性,一旦一路壞掉以后,LNA 仍能工作,只不過(guò)增益大概減小6 dB??刂颇K控制旁路開(kāi)關(guān)通斷,給LNA 提供電源,并且通過(guò)控制輸出端衰減達到調節增益的目的。
LNA 設計的技術(shù)指標:工作頻率825 MHz — 835 MHz;噪聲系數<1.8 dB;增益2 dB—12 dB,步進(jìn)1 dB;旁通時(shí)插入損耗≤ 2.5 dB;輸出三階交調截取點(diǎn)OIP3>20 dBm;輸出1 dB 壓縮點(diǎn)P>10 dBm;回波損耗≥ 18 dB;最大工作電流≤ 120 mA。
關(guān)鍵器件選擇
ATF-54143 是一款高增益、寬動(dòng)態(tài)范圍、低噪聲的E-PHEMT(增強模式偽形態(tài)高電子遷移率晶體管),只需要一個(gè)
正的電壓偏置,器件體積小,電路集成度高,特別適用于450 MHz — 6 GHz 頻段的通信系統。而且根據器件性能,在漏電流IDS為60 mA時(shí)能得到最高的三階截取點(diǎn)(IP3)和最低噪聲系數(NF),在漏電壓VDS為3 V 時(shí),有較高的增益。同時(shí)選擇Xinger 1D1304-3,它是一款3dB,90度混合耦合器,具有在800 MHz — 1200 MHz 頻帶內插入損耗小,高隔離度等優(yōu)點(diǎn),特別適用于平衡結構的LNA設計。
考慮增益可調這部分,采用5 bit 數控衰減器HMC273(0.7 GHz — 3.7 GHz,1dB —31 dB 衰減范圍),只要控制低4 bit的輸入高低電平就能達到0 dB— 15 dB 衰減范圍,滿(mǎn)足了增益步進(jìn)要求。
LNA 電路的設計
通常,在設計LNA 時(shí)主要考慮低噪聲系數(NF),足夠的增益和絕對穩定性,但在實(shí)際應用中,高截取點(diǎn)、供電電壓和低電流損耗也需要考慮。
直流偏置電路的設計
首先,以ATF-54143 的柵極電壓VDS 作為掃描參數對元件的靜態(tài)工作點(diǎn)(漏極電流IDS 和漏極電壓VDS)進(jìn)行仿真。圖2 和圖3 分別為仿真圖和電路原理圖。再根據選定的VDS(3 V),IDS(60 mA),VGS(0.56 V), 用公式(1)(2)(3)計算各偏置電阻值。
式中,IBB=2 mA 是設定流經(jīng)R1 和R2 電阻分壓網(wǎng)絡(luò )的電流,Vdd=5 V 是供電電壓,經(jīng)計算得出各偏置電阻值:R1=280 Ω,R2=1220 Ω,網(wǎng)R3=33 Ω。
穩定電路的設計
電路不穩定主要由3 個(gè)原因產(chǎn)生:晶體管內部的反饋回路,由外部電路產(chǎn)生的在晶體管外部的反饋支路,以及通帶外的多余的增益。絕對穩定意味著(zhù)對于任何源端和負載端的阻抗,電路都不會(huì )出現不穩定的情況,通??梢杂蒖ollett穩定因子來(lái)表示。絕對穩定的條件是:
改進(jìn)方法之一是可以在晶體管的源端對地加上一小段微帶線(xiàn),相當于電感性元件的負反饋,可以改善輸入回波損耗和低頻穩定度,提高線(xiàn)性度;同時(shí)在放大電路的輸出端可以加上π型阻性衰減器,對改善穩定性也很有效。
仿真證明,在源端作上述設計后K 值將在帶內大于1 。但要注意,在放大管源極添加傳輸線(xiàn)來(lái)穩定的方法是以犧牲放大器其他性能為代價(jià)的,同時(shí)過(guò)長(cháng)的傳輸線(xiàn)增加了電路自激的可能性。為了尋求平衡,在實(shí)際設計PCB 時(shí),將源端微帶線(xiàn)預留足夠的長(cháng)度,調試時(shí)可根據實(shí)際情況調整其接地的長(cháng)度,再將多余的帶線(xiàn)切斷除去。
匹配網(wǎng)絡(luò )的設計
輸入匹配網(wǎng)絡(luò )一般為獲得最小噪聲而設計,為接近最佳噪聲匹配網(wǎng)絡(luò )而不是最佳功率匹配網(wǎng)絡(luò ),而輸出匹配網(wǎng)絡(luò )一般是為獲得最大功率和最低駐波比而設計。由于本設計對LNA 增益的要求不是太高,所以設計匹配網(wǎng)絡(luò )時(shí)首先考慮噪聲系數。輸入匹配網(wǎng)絡(luò )由元件的最佳噪聲反射系數Topt為主來(lái)決定,以求得噪聲系數NF 降到最小,根據S 參量仿真得到的最佳噪聲系數匹配條件,利用ADS 提供的Smith 圓圖工具可以很方便地進(jìn)行輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò )的設計。
可得出輸入高通網(wǎng)絡(luò )L1 為12 nH,C1 為5.6 pF,輸出高通匹配網(wǎng)絡(luò )L4為15 nH ,C4為3 pF 。
ADS 仿真
線(xiàn)性仿真
線(xiàn)性分析時(shí)可以用Touchstone 格式的兩端口S參量對晶體管進(jìn)行建模,用基于4端口的Touchstone線(xiàn)性S 參數文件對混合耦合器建模,在此引用ATF-54143 的S2p 文件和1D1304-3 的S4p 文件。為了得到更切合實(shí)際的結果,傳輸線(xiàn)部分也采用ADS 庫中的微帶線(xiàn)模型。在對平衡結構LNA 的Sparams_wNoise仿真時(shí),主要是調節微帶線(xiàn)的長(cháng)度,以得到最佳匹配結果,本次板材采用介電常數為2.55 的聚四氟乙烯,介質(zhì)厚0.8 mm,微帶線(xiàn)高18 μm,微帶線(xiàn)寬度用ADS 的LineCalc 工具計算,經(jīng)過(guò)反復試驗得出結果如圖4 所示。
非線(xiàn)性仿真
諧波平衡(HB)仿真可用于得出1 dB 壓縮點(diǎn)P 和輸出三階截取點(diǎn)(OIP3)等非線(xiàn)性參數,兩者仿真設置的主要區別在于信號源的不同,前者信號源是P_1Tone,后者是P_nTone 提供調諧頻率信號,相應H B 仿真的設置也有不同。
仿真得到的P-1 dB為16.5 dBm,OIP3為32.2 dBm,結果比較理想,見(jiàn)圖5 所示。
PCB 制板
用DC-DC 轉換芯片將外部輸入電壓轉換為5 V,給晶體管提供偏置電壓。數控衰減器HMC273 放置在放大耦合輸出的近端,也需要5 V 電源供電,5管腳16 dB 衰減控制口直接置高電平,1 — 4 管腳連接外部輸入口;遠端放置π型阻性電路,可用于調節增益和增加電路穩定性。旁路與放大電路在輸出端用PIN 開(kāi)關(guān)二極管HSMP-4890 連接,起隔離的作用,保證旁路插入損耗小。旁路和耦合器輸入端帶線(xiàn)均為1/4 波長(cháng),以保證相位匹配,使回波損耗最小。
繪制P C B 電路板時(shí)還須注意以下幾個(gè)方面:
?。?)根據信號頻率,板材參數計算微帶線(xiàn)寬度,為了彌補實(shí)際和仿真的差別,一般不將阻抗值嚴格地設為50 Ω計算,而是偏高1 Ω— 2 Ω,調試中通過(guò)改變接地電容的量值和位置就可以得到較寬的電路參數調整范圍。
?。?)預留出可調的電容位置,關(guān)鍵是放大器輸入輸出端。
?。?)為了避免干擾,射頻微帶線(xiàn)之間以及普通信號線(xiàn)(控制HMC273 )均避免鄰接,中間必須用地隔開(kāi)。
?。?)在射頻信號經(jīng)過(guò)的帶線(xiàn)范圍內,底層電源線(xiàn)也盡量避免經(jīng)過(guò),可選擇耦合器中部穿過(guò),以免改變阻抗,影響性能。
結束語(yǔ)
本文設計的平衡結構LNA 和利用開(kāi)關(guān)二極管控制旁路提高了工作可靠性,并且用簡(jiǎn)單靈活的方法實(shí)現了增益可調。測試結果表明,實(shí)際測得的LNA 技術(shù)指標能夠與仿真結果較好地吻合,E -pHEMT 管的低噪聲系數和高OIP3 使它在高動(dòng)態(tài)范圍電路設計上具有很大的優(yōu)勢。
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